【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域中的光刻技术,特别是涉及一种 。
技术介绍
随着芯片尺寸的缩小,芯片的线宽也越来越细。传统的光学投影光刻系统一般是193nm的,现有的单次光刻成像技术已经不能满足半导体技术 发展的需求。为了解决上述问题,两次图形曝光技术已经被提出。如图1所示,现 有的两次图形曝光技术包括以下步骤第一步,在形成刻蚀阻挡层之后, 在硅衬底上涂覆光刻胶并光刻;第二步,利用光刻胶作为刻蚀掩蔽层,刻 蚀掉非光刻胶保护区域的待刻蚀衬底;第三步,剥离剩余的光刻胶和刻蚀 阻挡层;第四步,填充光刻胶或者抗反射层;第五步,利用抗反射层或者 光刻胶作为刻蚀隐蔽层,进行第二次刻蚀,刻蚀掉不被抗反射层或光刻胶 保护的区域的衬底;最后,剥离剩余的光刻胶或者抗反射层,并进行清洗。现有的两次图形曝光技术在第二步刻蚀之前采用光刻胶或者抗反射层 作为填充物,其填充性能受到深宽比的约束,使得第一次刻蚀后的间隙不 能被很好的填充,从而影响了第二次图形曝光的效果。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种,减少第一次刻蚀间隙的填充物填充性能差的不利影响,提高第二次图形曝 光效果。为解决上述技术问题,本专利技术的技术方案 是,包括以下步骤第一步,在待刻蚀衬底上方涂覆光刻胶并进行第一次 光刻;第二步,利用光刻胶作为刻蚀掩蔽层,进行第一次刻蚀,刻蚀多晶 硅栅极的接触孔;第三步,剥离剩余的光刻胶;第四步,采用湿法可显影 填充材料涂覆硅片表面,填充第一次刻蚀后的间隙;第五步,用显影液显 影涂覆了湿法可显影填充材料后的硅片,并移除待刻蚀衬底表面的填充材 料,实现硅片的表面平整表 ...
【技术保护点】
一种接触孔的两次图形曝光方法,其特征在于,包括以下步骤:第一步,在待刻蚀衬底上方涂覆光刻胶并进行第一次光刻;第二步,利用光刻胶作为刻蚀掩蔽层,进行第一次刻蚀,刻蚀多晶硅栅极的接触孔;第三步,剥离剩余的光刻胶;第四步,采用湿法可显影填充材料涂覆硅片表面,填充第一次刻蚀后的间隙;第五步,用显影液显影涂覆了湿法可显影填充材料后的硅片,并移除待刻蚀衬底表面的填充材料,实现硅片的表面平整表现;第六步,检测显影表现,如发现前层介质膜上仍然存在第四步中的填充材料,则继续用显影液显影,直至填充材料被全部去除;第七步:涂覆光刻胶,并进行第二次光刻;第八步,利用光刻胶作为刻蚀掩蔽层,进行第二次刻蚀,刻蚀源漏区域的接触孔;第九步,剥离剩余的光刻胶、湿法可显影填充材料,并清洗。
【技术特征摘要】
1. 一种接触孔的两次图形曝光方法,其特征在于,包括以下步骤第一步,在待刻蚀衬底上方涂覆光刻胶并进行第一次光刻;第二步,利用光刻胶作为刻蚀掩蔽层,进行第一次刻蚀,刻蚀多晶硅栅极的接触孔;第三步,剥离剩余的光刻胶;第四步,采用湿法可显影填充材料涂覆硅片表面,填充第一次刻蚀后的间隙;第五步,用显影液显影涂覆了湿法可显影填充材料后的硅片,并移除待刻蚀衬底表面的填充材料,实现硅片的表面平整表现;第六步,检测显影表现,如发现前层介质膜上仍然存在第四步中的填充材料,则继续用显影液显影,直至填充材料被全部去除;第七步涂覆光刻胶,并进行第二次光刻;第八步,利用光刻胶作为刻蚀掩蔽层,进行第二次刻蚀,刻蚀源漏区域的接触孔;第九步,剥离剩余的光刻胶、湿法可显影填充材料,并清洗。2. 根据权利要求1所述的接触孔的两次图形曝光方法,其特征在于, 第四步中所述的湿法可显影的填充材料,其填充材料由酮类、醚类、烷烃 类有机溶剂、抗反射吸收材料、可与标准四甲基氢氧化铵显影液反应的有 机酸基团树脂以及含氧、氟元素的有机基团树脂、交联树脂构成,分子量 在...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈福成,朱骏,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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