一种平板探测器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种平板探测器及其制造方法，其包括第一TFT、第二TFT、下电极、光电转换层以及上电极；所述第一TFT包括第一多晶硅、第二多晶硅、第三多晶硅、与第一多晶硅连接的第一漏极、与第二多晶硅连接的第一源极以及第三多晶硅上方的第一栅极；所述第二TFT包括第二栅极、金属氧化物半导体层以及均与金属氧化物半导体层连接的第二源极和第二漏极；所述第二TFT的第二源极与第一TFT的第一源极直接相连；第三栅极在第一栅极上方，通过过孔相连，下电极通过过孔与第一栅极连接。本发明专利技术第一TFT为多晶硅TFT，其可以是NMOS结构或者PMOS结构，第一TFT采用顶栅结构，用于放大光电探测器的电信号，可以提高光源的探测灵敏度；第二TFT采用底栅结构，用来传递PIN的光电信号，同时降低光电转换层的漏电流。转换层的漏电流。转换层的漏电流。

【技术实现步骤摘要】
一种平板探测器及其制造方法


[0001]本专利技术涉及平板探测器的
，尤其涉及一种平板探测器及其制造方法。

技术介绍

[0002]平板探测器的X线先经荧光介质材料转换成可见光，再由光敏元件将可见光信号转换成电信号，最后将模拟电信号经A/D转换成数字信号。
[0003]金属氧化物具有漏电流低的优势，适合做开关TFT，有效降低X光剂量；低温多晶硅（LTPS）的电子迁移率高，适合做电流放大和补偿。
[0004]X射线对人体有伤害，因此需要尽可能使用较低的X光辐射剂量，但产生的光电流小，需要较低的漏电流和电流补偿放大，才能形成更清晰的图像以及更小的曝光剂量。
[0005]现有的平板探测器用采用金属氧化物做放大电路和TFT，受制于金属氧化物的电子迁移率，放大倍数不够；采用LTPS做放大电路和TFT，虽然有较大的放大倍数，但TFT的漏电流较大，都不是有效的解决方案。
[0006]故有必要设计一种新的平板探测器。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的在于提供一种提高光源的探测灵敏度且降低光电转换层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种平板探测器，其特征在于，其包括第一TFT、第二TFT、下电极、光电转换层以及上电极；所述第一TFT包括第一多晶硅、第二多晶硅、第三多晶硅、与第一多晶硅连接的第一漏极、与第二多晶硅连接的第一源极以及第三多晶硅上方的第一栅极；所述第二TFT包括第二栅极、金属氧化物半导体层以及均与金属氧化物半导体层连接的第二源极和第二漏极；所述第二TFT的第二源极与第一TFT的第一源极直接相连；第三栅极在第一栅极上方，通过过孔相连，下电极通过过孔与第一栅极连接。2.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于：所述第一TFT为NMOS结构或者PMOS结构；第二TFT为金属氧化物半导体结构，包括但不限于IGZO、IGTO、IGZTO、IZO等。3.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于：所述第一TFT为顶栅结构；所述第二TFT为底栅结构。4.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于：所述第一栅极位于第三多晶硅的上方。5.一种平板探测器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：形成并列设置且图形化的第一多晶硅、第二多晶硅和第三多晶硅；S2：形成覆盖第一、第二和第三多晶硅的栅极绝缘层；S3：采用第一金属材料在栅极绝缘层形成图形化的第一栅极和第二栅极；S4：...

【专利技术属性】
技术研发人员：王健，于杰，范泽龙，
申请(专利权)人：南京迪钛飞光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：