图像传感器结构及电子设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种图像传感器结构及电子设备，图像传感器结构包括：基底，形成有若干个感光区；包括凹陷主体部及填充部的光路调制结构，凹陷主体部的折射率大于填充部的折射率，且每一感光区上对应至少一个光路调制结构。本实用新型专利技术采用简单的工艺制备得到了可以进行光路调制的结构，可以调制射向基底的入射光，增加入射光光程，以提高光的吸收率及图像传感器的探测效率；特别是对于波长较长的红外波段光，极大扩展了对红外光的应用；本实用新型专利技术制备工艺简便，兼容性良好；图像传感器设计中，将光路调制结构制备在基底上，可以均适用于前照式和背照式图像传感器；另外，本实用新型专利技术还可以基于光路调制结构的不同配置灵活实现图像传感器性能改善。现图像传感器性能改善。现图像传感器性能改善。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器结构及电子设备


[0001]本技术属于图像传感器制造
，特别是涉及一种图像传感器结构及电子设备。

技术介绍

[0002]图像传感器是利用光电器件的光电转换功能将感光面上的光像转换为与光像成相应比例关系的电信号。根据元件的不同，可以分为CCD(电荷耦合元件)和CMOS(金属氧化物半导体元件)两大类。随着CMOS图像传感器(CIS)设计及制造工艺的不断发展，CMOS图像传感器逐渐取代CCD图像传感器已经成为主流。其中，CMOS图像传感器可以分为FSI(Front Side Illumination，前照式)和BSI(Back Side Illumination，背照式)两类。
[0003]然而，对于现有的图像传感器(如CIS)器件结构，入射光进入基底后的光程一般较短，从而影响着感光元件对入射光的吸收，光吸收率难以得到有效提升。特别是对于红外光(主要指近红外波段780nm
‑
1100nm)部分，由于其波长较长，若不增加其在基底中的光程，则会影响红外光的吸收率，从而影响整个传感器对于红外光的探测效率。例如，对于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器结构，其特征在于，所述图像传感器结构包括：基底，所述基底中形成有若干个感光区；光路调制结构，形成在所述基底上，所述光路调制结构包括凹陷主体部及填充部，所述凹陷主体部位于所述基底表面且具有凹陷区，所述填充部填充于所述凹陷区；其中，所述凹陷主体部的折射率大于所述填充部的折射率，且每一所述感光区上对应至少一个所述光路调制结构。2.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，所述图像传感器结构还包括图形化辅助结构层，所述图形化辅助结构层形成在所述基底表面且具有开口，所述光路调制结构穿过所述开口形成在所述基底表面。3.根据权利要求2所述的图像传感器结构，其特征在于，所述开口的宽度和与其相邻的所述图形化辅助结构层的宽度之比介于1∶1
‑
2∶1之间；和/或，所述图形化辅助结构层的厚度介于10nm
‑
1000nm之间；和/或，所述图形化辅助结构层的材质包括多晶硅、非晶硅及氮化硅中的任意一种。4.根据权利要求2所述的图像传感器结构，其特征在于，所述图形化辅助结构层与所述凹陷主体部的折射率一致。5.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，所述图像传感器结构还包括桥接部，所述桥接部位于相邻所述光路调制结构之间，并连接相邻所述光路调制结构的所述凹陷主体部。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王婉晴，
申请(专利权)人：思特威上海电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：