摄像装置及电子设备制造方法及图纸

提供一种可以以较少工序制造的高功能的摄像装置。形成在包括Si晶体管的电路上层叠有包括在沟道形成区域包含金属氧化物的晶体管(以下，称为OS晶体管)的电路的第一叠层体，形成在Si光电二极管上设置有OS晶体管的第二叠层体，将第一叠层体及第二叠层体的设置有OS晶体管的层彼此贴合而得到电路间的电连接。通过采用上述结构，即使使用层叠多个功能不同的电路等的结构也减少抛光工序、贴合工序，而可以提高成品率。提高成品率。提高成品率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像装置及电子设备


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种摄像装置。
[0002]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种程序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。因此，更具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的例子，可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置、它们的驱动方法或者它们的制造方法。
[0003]注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。晶体管、半导体电路为半导体装置的一个方式。另外，存储装置、显示装置、摄像装置、电子设备有时包含半导体装置。

技术介绍

[0004]使用形成在衬底上的氧化物半导体薄膜构成晶体管的技术受到关注。例如，专利文献1公开了将包括氧化物半导体的关态电流非常低的晶体管用于像素电路的结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种摄像装置，包括：第一电路；第二电路；第三电路；光电转换器件；第一绝缘层；第二绝缘层；第三绝缘层；第四绝缘层；第一导电层；以及第二导电层，其中，所述第一电路具有隔着所述第一绝缘层及所述第二电路与所述第二绝缘层重叠的区域，所述第一绝缘层设置在所述第一电路与所述第二电路间，所述第一导电层具有埋设于所述第二绝缘层的区域，所述光电转换器件具有隔着所述第三绝缘层及所述第三电路与所述第四绝缘层重叠的区域，所述第三绝缘层设置在所述光电转换器件与所述第三电路间，所述第二导电层具有埋设于所述第四绝缘层的区域，所述第一导电层与所述第一电路电连接，所述第一电路与所述第二电路电连接，所述第二导电层与所述第三电路电连接，所述第三电路与所述光电转换器件电连接，所述第一导电层与所述第二导电层直接接合，并且，所述第二绝缘层与所述第四绝缘层直接接合。2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中所述第一电路包括在沟道形成区域包含硅的晶体管，所述第二电路及所述第三电路包括在沟道形成区域包含金属氧化物的晶体管，并且所述光电转换器件是在光电转换层包含硅的光电二极管。3.根据权利要求2所述的摄像装置，其中所述金属氧化物包含In、Zn、M(M为Al、Ti、Ga、Ge、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd和Hf中的一种或多种)。4.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像装置，其中所述第一导电层及所述第二导电层由同一金属材料构成，并且所述第二绝缘层及所述第四绝缘层由同一绝缘材料构成。5.根据权利要求1至4中任一项所述的摄像装置，其中所述第三电路及所述光电转换器件具有像素电路的功能，并且所述第一电路具有读出电路的功能。6.根据权利要求1至5中任一项所述的摄像装置，还包括：
遮光层，其中所述遮光层设置在所述光电转换器...

【专利技术属性】
技术研发人员：根来雄介，米田诚一，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：