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提供一种可以以较少工序制造的高功能的摄像装置。形成在包括Si晶体管的电路上层叠有包括在沟道形成区域包含金属氧化物的晶体管(以下，称为OS晶体管)的电路的第一叠层体，形成在Si光电二极管上设置有OS晶体管的第二叠层体，将第一叠层体及第二叠层体...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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