【技术实现步骤摘要】
一种图像传感器的制备方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造领域,尤其涉及一种图像传感器的制备方法。
技术介绍
[0002]图像传感器是将光学图像转换成电信号的背照式传感器,背照式图像传感器通过没有布线层背面接收入射光,避免金属线路和晶体管结构对入射光的阻碍,相比正照式图像传感器具有更高的宽容度,更快的数据吞吐速率,以及更好的低光照成像能力,已经成为图像传感器的主流。
[0003]随着技术的发展,远红外成像的应用也越来越广泛,例如安保监控,虹膜扫描仪,飞行时间(ToF)传感器等。背照式图像传感器在工业应用也越来越广泛,工业应用需要的像素单元较大,而背照式大像素图像传感器会出现器件均匀性较差的问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种图像传感器的制备方法,解决图像传感器均匀性差的问题。
[0005]为了达到上述目的,本专利技术提供了一种图像传感器的制备方法,包括:
[0006]提供衬底,所述衬底包括像素区及位于所述像素区外围的逻辑区,所述衬底的逻辑区中形成有互联结构 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的制备方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底包括像素区及位于所述像素区外围的逻辑区,所述衬底的逻辑区中形成有互联结构;在所述衬底的第一表面上形成金属层,所述金属层包括覆盖所述像素区的第一部分和覆盖所述逻辑区的第二部分,所述第二部分与所述互联结构电性连接;刻蚀所述第一部分以形成多个贯穿的第一凹槽;在所述金属层上顺形地形成钝化层,并刻蚀所述逻辑区的钝化层以减薄所述逻辑区的钝化层;对所述钝化层进行平坦化工艺;在所述钝化层上形成镜片结构。2.如权利要求1所述的一种图像传感器的制备方法,其特征在于,在所述衬底的第一表面上形成金属层之前还包括:刻蚀所述衬底形成若干深沟槽;在所述衬底上形成反射层,所述反射层至少填充所述深沟槽。3.如权利要求2所述的一种图像传感器的制备方法,其特征在于,在相邻的两个所述深沟槽之间的所述衬底内形成光电二极管。4.如权利要求1所述的一种图像传感器的制备方法,其特征在于,所述第一凹槽的横向宽度大于5μm。5.如权利要求1所述的一种图像传感器的制备方法,其特征在于,所述像素区的所述钝化层...
【专利技术属性】
技术研发人员:秦佑华,陈昊瑜,姬峰,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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