薄膜晶体管阵列基板、像素电路、X射线探测器及其驱动方法技术

本发明专利技术提出一种薄膜晶体管阵列基板、像素电路、X射线探测器及其驱动方法，涉及光电技术领域，所述薄膜晶体管阵列基板包括水平排布的扫描线和读取扫描线、垂直排布的数据线和偏压线，以及由扫描线和数据线交叉限定的多个像素单元，每个像素单元包括位于光电导区的光电导薄膜晶体管和位于读取端的读取薄膜晶体管，本发明专利技术利用aSi薄膜晶体管的光电导效应，对光电流积分并控制放大倍数，实现像素内信号放大，在降低放射剂量的同时也能够实现放大倍数的精准控制；同时简化了像素结构和工艺结构。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列基板、像素电路、X射线探测器及其驱动方法
本专利技术属于光电
，具体涉及一种薄膜晶体管阵列基板、像素电路、X射线探测器及其驱动方法。
技术介绍
近年来，由半导体材料制成的用以捕获X射线的平板探测器的放射摄像成像装置在医疗设备、工业无损检测以及公共安全等领域的应用越来越广泛。平板式X射线图像探测器一般分为两种薄膜晶体管阵列技术。第一种为间接探测式图像探测器。例如，在上述基板上制成的TFT像素阵列之上，淀积一层光电变换薄膜（如氢化非晶硅二极管薄膜），并且覆盖一层能够将X射线转换成可见光的材料，如荧光膜(phosphors)或者闪烁膜(scintillattor),就可以制成一个大面积的平板式X射线图像探测器。间接探测式图像探测器相与传统的X射线感光胶片以及CCD摄像机聚焦荧光板的方式相比，其优越性体现在采集图像的瞬时性、完全数字化图像、体积的小型化和高灵敏度带来的对于患者的较低曝光量。第二种探测器是直接探测式图像探测器。在这种探测器里面，不使用荧光膜或者闪烁膜，而是使用将X射线直接转换成电子或空穴的半导体光电导薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，用于X射线探测器，其特征在于，包括水平排布的扫描线和读取扫描线、垂直排布的数据线和偏压线，以及由扫描线和数据线交叉限定的多个像素单元，每个像素单元包括位于光电导区的光电导薄膜晶体管和位于读取端的读取薄膜晶体管，其中，所述像素单元具体包括：/n基板；/n栅金属层，位于基板上方，包括位于光电导区的第一栅极和位于读取端的第二栅极；/n栅极绝缘层，覆盖栅金属层，所述栅极绝缘层在第一栅极上方设有第一开孔；/n半导体层，位于栅极绝缘层上方，包括位于光电导区的第一半导体和位于读取端的第二半导体；/n源极和漏极，覆盖部分半导体层和部分栅极绝缘层，所述源极和漏极分别位于半导体层的两侧...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，用于X射线探测器，其特征在于，包括水平排布的扫描线和读取扫描线、垂直排布的数据线和偏压线，以及由扫描线和数据线交叉限定的多个像素单元，每个像素单元包括位于光电导区的光电导薄膜晶体管和位于读取端的读取薄膜晶体管，其中，所述像素单元具体包括：
基板；
栅金属层，位于基板上方，包括位于光电导区的第一栅极和位于读取端的第二栅极；
栅极绝缘层，覆盖栅金属层，所述栅极绝缘层在第一栅极上方设有第一开孔；
半导体层，位于栅极绝缘层上方，包括位于光电导区的第一半导体和位于读取端的第二半导体；
源极和漏极，覆盖部分半导体层和部分栅极绝缘层，所述源极和漏极分别位于半导体层的两侧；
第一绝缘层，覆盖栅极绝缘层、源极和漏极，所述第一绝缘层在第一开孔上设有第二开孔；
第一金属层，覆盖位于光电导区的部分第一绝缘层和部分第一栅极，所述第一金属层在第一开孔内与第一栅极接触；
第二绝缘层，覆盖第一绝缘层和第一金属层；
有机层，覆盖第二绝缘层；
第二金属层，覆盖位于读取端的有机层；
第三绝缘层，覆盖有机层和第二金属层。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，光电导薄膜晶体管为顶栅结构，读取薄膜晶体管为底栅结构。


3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈钢，
申请(专利权)人：南京迪钛飞光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32