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本发明提供一种平板探测器及其制造方法，其包括第一TFT、第二TFT、下电极、光电转换层以及上电极；所述第一TFT包括第一多晶硅、第二多晶硅、第三多晶硅、与第一多晶硅连接的第一漏极、与第二多晶硅连接的第一源极以及第三多晶硅上方的第一栅极；所述...
该专利属于南京迪钛飞光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京迪钛飞光电科技有限公司授权不得商用。

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