高纯低铀亚微米级球形二氧化硅微粉的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高纯低铀亚微米级球形二氧化硅微粉的制备方法。所述方法先将块状原料煅烧、破碎、沉降烘干成1mm以下的砂料，再将砂料湿法球磨成粉浆，然后在粉浆中加入由氢氟酸和盐酸组成的混酸，并加入双氧水，回收铀元素，之后将粉浆压滤、洗涤、干燥，制得铀含量在1.0ppb以下的粉末，最后采用火焰成球法，制得亚微米级球形二氧化硅微粉。本发明专利技术方法对原料要求低，适用于各种工业级硅源，制得的亚微米级球形二氧化硅微粉U含量低且稳定。级球形二氧化硅微粉U含量低且稳定。

【技术实现步骤摘要】
高纯低铀亚微米级球形二氧化硅微粉的制备方法


[0001]本专利技术属于导热填料的制备
，涉及一种高纯低铀亚微米级球形二氧化硅微粉的制备方法。

技术介绍

[0002]电子设备朝着小和薄方向发展，半导体封装用填料粒径越来越小。同时为了提高填料在半导体封装中的填充量和流动性，需要添加球形度高的亚微米级(一般认为0.1μm～1μm)填料。然而随着超大集成电路集成度的不断提高，导线间距越来越小，以及存储芯片等封装材料，封装料中α射线较强时对信号的传输会产生软误差，从而降低了集成电路的可靠性。因此，超大集成电路封装和存储芯片等封装材料对α射线提出了更高要求。自然矿中的铀元素(U)是影响α射线的最主要因素。因此需要控制铀元素含量，进而控制α射线的强弱。
[0003]中国专利申请CN101570332A采用有机硅源制成硅溶胶，经造粒等工序，得到U＜1ppm的球形硅微粉。中国专利申请CN104556076A采用有机硅烷提纯、乳化等工序，得到无α射线的球形硅微粉。然而上述方法主要是通过化学合成的方法，采用高纯的有机硅源和溶剂，制得高纯低铀的球形硅微粉本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.高纯低铀亚微米级球形二氧化硅微粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤(1)，惰性气体保护下，将原料在700～1400℃高温炉内煅烧10～20h，煅烧结束后，遇水急冷，破碎为1mm以下的砂料，沉降烘干，再重复煅烧
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破碎
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沉降烘干步骤，制得砂料，所述的原料为纯度99.5％以上、铀含量为5～20ppb的30～100mm单质硅或含硅无机化合物块料；步骤(2)，按砂料与水的质量比为1～3：2～5，并加入水质量的0.1
‰
～0.5
‰
的HF溶液，经湿法球磨制得粉体平均粒径为5～40μm的粉浆；步骤(3)，按氢氟酸和盐酸的浓度比为1～300:1，在粉浆中加入等质量的氢氟酸溶液和盐酸溶液，同时加入占混合酸溶液质量的0.1％～0.5％的双氧水，并加入浮选剂和捕收剂回收铀元素，在30～60℃下搅拌，制得粉浆；步骤(4)，将步骤(3)获得的粉浆压滤、洗涤、干燥，制得铀含量在1.0ppb以下的粉末；步骤(5)，采用火焰成球法，通入载气、可燃气体以及助燃剂，点燃，将步骤(4)...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建平，曹家凯，李晓冬，阮建军，姜兵，朱刚，
申请(专利权)人：江苏联瑞新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：