硒同素异晶P.N型结构的感光大平板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种硒同素异晶Ｐ．Ｎ型结构的感光大平板，主要是由导电平板组成，其特征在于：导电平板的外层设有非晶硒膜层（Ｐ型），向内交替设有晶硒和非晶硒混合膜层（Ｎ型），非晶硒膜层（Ｐ型），膜层总层数至少为二层。本实用新型专利技术结构合理，构思巧妙，制膜成功率高，制得的膜层高质量、高稳定性、高重复性、高电位、高灵敏度，用Ｐ．Ｎ型结构的硒膜可将膜层做得较厚。本实用新型专利技术使ＤＲ技术中ＴＦＴ平板探测器成功率大幅提高，成本大幅下降，具极高的产业应用价值。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及医学影象数字化技术中的薄膜晶体管矩阵(TFT)或芯片(CMOS)平板探测器，特别是涉及其中的感光大平板。
技术介绍
感光大平板制造的关键技术是优质非晶硒(a-se)膜的制造。由于(a-se)膜的制造难度很大，成功率低，其重复性、稳定性很差，另由于在真空环境下没有对流，控温基板和导电平板有间隙，辐射传导效果又差，因此传导被阻断，导电平板温度失控，这是难以获得理想(a-se)膜层的关键原因。导致目前一块TFT平板探测器售价在8-10万美圆左右，作为一种耗材，这样的价格令人难以接受，从而影响了直接成像技术(DR)技术的普及发展受到极大的限制。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种能有效克服上述缺陷，硒同素异晶P.N型结构的感光大平板。本专利技术技术方案为一种硒同素异晶P.N型结构的感光大平板，主要是由导电平板组成，其特征在于导电平板的外层设有非晶硒膜层(P型)，向内交替设有晶硒和非晶硒混合膜层(N型)，非晶硒膜层(P型)，膜层总层数至少为二层。由于采用上述方案，不难得出如下结论本技术结构合理，构思巧妙，制膜成功率高，制得的膜层高质量、高稳定性、高重复性、高电位、高灵敏度，用P.N型结构的硒膜可将膜层做得较厚。该膜层特别适合于TFT平板，其原因是根据静电成像原理，多数专家认为(a-se)膜上的静电荷结集是在硒膜表面，称表面集肤电荷。在TFT上配制的硒膜厚度一般大于300u，也就是说硒膜表面的电位信号和感应电位信号的薄膜晶体管之间距离有300u以上，这样感应到的电位信号和集肤电荷的电位信号相比要低得多。而用同素异晶多层结构的硒膜，就将感应电位信号和集肤电荷电位信号之间的距离缩得很小。因此可以减小失真和小信号丢失。同时感应信号的稳定性和灵敏度均得到很好提高。这样获得的图像会更真实、更清晰。本技术使DR技术中TFT平板探测器成功率大幅提高，成本大幅下降，具极高的产业应用价值。以下结合附图和实施例对本专利技术作进一步详细描述。附图说明图1为本技术一实施例的结构示意图。图2为本技术另一实施例的结构示意图。具体实施方式图1中1为导电平板。可采用薄膜晶体管矩阵(TFT)平板，其内层设有晶硒和非晶硒混合膜层。2为(N型)其外设有非晶硒膜层3(P型)。图2中4为导电平板，其外层设有非晶硒膜层7(P型)，其内依次设有晶硒和非晶硒混合膜层6(N型)和非晶硒膜层5(P型)。上述实施例的制造过程(a)先将导电平板清洗干燥。(b)置真空室，控温基板加导热材料和固定，在蒸发舟内，加上适量的纯硒颗粒。导热材料常用的有液体、胶体，弹性金属丝织物、海绵体、类毡织物等，导热材料可以二种或二种以上同时合用，但是进入真空的导热材料必须具备物理和化学性质稳定。(c)盖上钟罩抽真空，对控温基板进行循环水加热，对蒸发舟进行预热加热。(d)控温基板温度需先达到，真空度达到，蒸发温度达到时，打开挡板，开始蒸发，蒸发速率控制在5-8u/分。(e)由于P型和N型所需温度不同，对控温基板需及时快速换温；非晶硒膜的获得(P型)可在70-85℃中选择；硒混合膜的获得(N型)可在45-65℃中选择。(f)蒸发结束，关闭硒舟加电炉，关闭恒温浴，切换室温水进入控温基板，让其渐渐降至室温。(g)蒸发结束5分钟后，关闭真空阀门，渐渐缓慢放气(先慢后快，完毕后取出导电平板清洁，静置48小时后备用。(h)48小时后进行微电子加工处理其中不管层数多少，P和N型的层间厚度，应均匀分配为好，最外层的膜层厚度应大于等于平均厚度一倍或一倍以上，双层可以1∶1。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硒同素异晶Ｐ．Ｎ型结构的感光大平板，主要是由导电平板组成，其特征是在于：导电板的外层设有非晶硒膜层Ｐ型（１），向内交替设有晶硒和非晶硒混合膜层Ｎ型（２），非晶硒膜层Ｐ型（３），膜层总数至少为二层。

【技术特征摘要】
1.一种硒同素异晶P.N型结构的感光大平板，主要是由导电平板组成，其特征是在于导电板的外层设有非晶硒...

【专利技术属性】
技术研发人员：李金根，许梅华，李阳，
申请(专利权)人：李金根，许梅华，李阳，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]