【技术实现步骤摘要】
本技术涉及医学影象数字化技术中的薄膜晶体管矩阵(TFT)或芯片(CMOS)平板探测器,特别是涉及其中的感光大平板。
技术介绍
感光大平板制造的关键技术是优质非晶硒(a-se)膜的制造。由于(a-se)膜的制造难度很大,成功率低,其重复性、稳定性很差,另由于在真空环境下没有对流,控温基板和导电平板有间隙,辐射传导效果又差,因此传导被阻断,导电平板温度失控,这是难以获得理想(a-se)膜层的关键原因。导致目前一块TFT平板探测器售价在8-10万美圆左右,作为一种耗材,这样的价格令人难以接受,从而影响了直接成像技术(DR)技术的普及、发展、提高受到极大的限制。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种能有效克服上述缺陷,硒同素异晶N.P型结构的感光大平板。本专利技术技术方案为一种硒同素异晶N.P型结构的感光大平板,主要是由导电平板组成,其特征在于导电平板的外层设有晶硒和非晶硒混合膜层(N型),向内交替设有非晶硒膜层(P型),晶硒和非晶硒混合膜层(N型),膜层总层数至少为二层。由于采用上述方案,不难得出如下结论本技术结构合理,构思巧妙,制膜成功率高,制得的膜层高质量、高稳定性、高重复性、高电位、高灵敏度,用N.P结构的硒膜可将膜层做得较厚。该膜层特别适合于TFT平板,其原因是根据静电成像原理,多数专家认为(a-se)膜上的静电荷结集是在硒膜表面,称表面集肤电荷。在TFT上配制的硒膜厚度一般大于300u,也就是说硒膜表面的电位信号和感应电位信号的薄膜晶体管之间距离有300u以上,这样感应到的电位信号和集肤电荷的电位信号相比要低得多。而用同素异晶多层结构的硒膜,就将感应电 ...
【技术保护点】
一种硒同素异晶N.P型结构的感光大平板,主要是由导电板组成,其特征在于:导电板的外层设有晶硒和非晶硒混合膜层N型(1),向内交替设有非晶硒膜层P型(2),晶硒和非晶硒混合膜层N型(3),膜层总层数至少为二层。
【技术特征摘要】
一种硒同素异晶N.P型结构的感光大平板,主要是由导电板组成,其特征在于导电板的外层设有晶硒和非晶硒混合...
【专利技术属性】
技术研发人员:李金根,许梅华,李阳,
申请(专利权)人:李金根,许梅华,李阳,
类型:实用新型
国别省市:31[中国|上海]