本实用新型专利技术涉及一种晶振探头的遮挡装置及晶振探测机构，包括：遮挡组件，所述遮挡组件包括多个挡片，多个挡片能够配合形成遮挡晶振片的遮挡部；驱动组件，其与遮挡组件连接，所述驱动组件驱动遮挡组件运动以控制所述遮挡部的开合程度。其能够延长晶振探头的使用寿命，提高晶振探头的监测精度。提高晶振探头的监测精度。提高晶振探头的监测精度。
【技术实现步骤摘要】
晶振探头的遮挡装置及晶振探测机构
[0001]本技术涉及蒸镀
，尤其是指一种晶振探头的遮挡装置及晶振探测机构。
技术介绍
[0002]在真空蒸镀时，通常使用晶振探头结构来监测速率及膜层厚度，随着蒸镀时间增加，材料沉积到基板表面的同时，也沉积到晶振片表面，引起晶振片的谐振频率下降，导致晶振探头监测精度下降，需频繁更换晶振片，耽误生产，增加生产成本。
技术实现思路
[0003]为此，本技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中蒸镀时间增加，材料沉积到基板表面的同时，也沉积到晶振片表面，引起晶振片的谐振频率下降，导致晶振探头监测精度下降的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本技术提供了一种晶振探头的遮挡装置，包括：
[0005]遮挡组件，所述遮挡组件包括多个挡片，多个挡片能够配合形成遮挡晶振片的遮挡部；
[0006]驱动组件，其与遮挡组件连接，所述驱动组件驱动遮挡组件运动以控制所述遮挡部的开合程度。
[0007]作为本技术的进一步改进，还包括第一套管，所述第一套管位于晶振探头一侧，所述遮挡组件位于所述第一套管远离所述晶振探头的一侧。
[0008]作为本技术的进一步改进，所述第一套管为锥筒形，所述第一套管靠近所述晶振片的一端孔径小于其远离所述晶振片的一端。
[0009]作为本技术的进一步改进，所述驱动组件包括驱动源和连杆机构，所述遮挡部设置在所述连杆机构上，所述驱动源驱动所述连杆机构运动以带动遮挡部运动。
[0010]作为本技术的进一步改进，还包括位于晶振探头一侧的第一套管和第二套管，所述第二套管位于第一套管内侧并能够沿所述第一套管的轴向滑动；所述挡片位于所述第一套管的内部，多个所述挡片配合形成遮挡部以遮挡第二套管的管孔。
[0011]作为本技术的进一步改进，所述挡片具有两个，两个所述挡片皆为半圆形。
[0012]作为本技术的进一步改进，所述第二套管能够伸出所述第一套管，以控制蒸镀的材料通向晶振片的路径长度。
[0013]作为本技术的进一步改进，所述驱动组件包括驱动源和弹性复位件；所述挡片与第一套管通过弹性复位件连接；所述挡片的一侧抵持在所述第二套管一端；所述第二套管移动以控制所述遮挡部的开合角度。
[0014]作为本技术的进一步改进，所述弹性复位件包括第一转轴和扭簧，所述挡片通过转轴与第一套管连接，所述第一转轴上设置有扭簧以使得挡片朝向第二套管方向翻转。
[0015]作为本技术的进一步改进，所述驱动源为电机或气缸。
[0016]本技术还公开了一种晶振探测机构，包括多个晶振探头，至少一个所述晶振探头上设置有上所述的遮挡装置。
[0017]本技术的晶振探头的遮挡装置相比现有技术具有以下优点：
[0018]1、本技术通过设置遮挡组件，当需要使用该晶振探头监测蒸镀的速率和膜层厚度时，驱动组件驱动遮挡组件运动以控制遮挡部打开，使得晶振探头的晶振片暴露在待监测区域，从而监测粒子沉积速率和膜层厚度，通过控制遮挡部的开合角度，从而控制晶振片上的粒子沉积速率，延长晶振片的使用寿命；当不需要监测粒子沉积速率和膜层厚度时，多个挡片形成的遮挡部关闭，从而避免晶振片暴露在蒸镀环境中。
[0019]2、本技术能够延长晶振探头的使用寿命，提高晶振探头的监测精度。
[0020]本技术的晶振探测机构相比现有技术具有以下优点：
[0021]本技术晶振探测机构包括多个晶振探头，至少一个所述晶振探头上设置有遮挡装置，当晶振探头需要使用时，遮挡装置的遮挡部打开，即可使用该晶振探头对蒸镀环境的粒子沉积速率和膜厚进行检测；而当晶振探头不需要使用时，遮挡装置的遮挡部关闭，即排除蒸镀环境对该晶振探头内的晶振片的干扰，如此，在该晶振探测机构进行工作时，可有选择性地使用特定晶振探头，使其对应的晶振片暴露在蒸镀环境中，而其它不需使用的晶振探头则通过遮挡装置对其进行遮挡，如此，延长晶振片的使用寿命。
附图说明
[0022]为了使本技术的内容更容易被清楚的理解，下面根据本技术的具体实施例并结合附图，对本技术作进一步详细的说明。
[0023]图1为实施例一的结构示意图一，其中，多个挡片组成的遮挡部处于关闭状态；
[0024]图2为实施例一的结构示意图二，其中，多个挡片组成的遮挡部处于打开状态；
[0025]图3为实施例二的结构示意图一，其中，多个挡片组成的遮挡部处于关闭状态；
[0026]图4为实施例二的结构示意图二，其中，多个挡片组成的遮挡部处于打开状态；
[0027]图5为实施例三的结构示意图。
[0028]说明书附图标记说明：10、第一套管；11、第二套管；20、挡片；30、驱动源；40、安装架；41、第一连接件；42、第二连接件；50、转轴；51、晶振探头。
具体实施方式
[0029]下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本技术的限定。
[0030]参照图1
‑
图5所示，本技术公开了晶振探头的遮挡装置，包括遮挡组件和驱动组件。
[0031]遮挡组件包括多个挡片20，多个挡片20能够配合形成遮挡晶振片的遮挡部。驱动组件与遮挡组件连接，驱动组件驱动遮挡组件运动以控制所述遮挡部的开合程度。通过驱动组件驱动遮挡组件动作，使得多个挡片20配合形成遮挡部，如此，遮挡部即可遮挡晶振片。通过设置遮挡组件，当需要使用该晶振探头监测蒸镀的速率和膜层厚度时，驱动组件驱动遮挡组件运动以控制遮挡部打开，使得晶振探头的晶振片暴露在待监测区域，从而监测
粒子沉积速率和膜层厚度，通过控制遮挡部的开合角度，从而控制晶振片上的粒子沉积速率，延长晶振片的使用寿命；当不需要监测粒子沉积速率和膜层厚度时，多个挡片20形成的遮挡部关闭，从而避免晶振片暴露在蒸镀环境中。
[0032]下面，结合说明书附图对本技术中至少一个实施例中的晶振探头的遮挡装置进行说明。
[0033]实施例一
[0034]图1和图2为本技术的一实施例提供的遮挡组件的结构示意图，其中，图1为挡片组成的遮挡部处于关闭状态，图2为挡片组成的遮挡部处于打开状态。本技术还包括第一套管10，第一套管10位于晶振探头一侧，遮挡组件位于第一套管10远离晶振探头一侧。通过在晶振探头一侧设置第一套管10，可以降低晶振片的晶振损耗，增强晶振片的寿命。第一套管10 可设置为锥筒形，而第一套管靠近晶振片的一端孔径小于其远离晶振片的一端，从而可以进一步降低晶振损耗。本实施例中，挡片20可设置有两块，两块挡片20位于第一套管10的一侧，通过两块挡片20配合，可遮盖第一套管10的管口，从而实现遮盖晶振探头的效果。
[0035]在此实施例中，驱动组件包括驱动源30和连杆机构，遮挡部设置在连杆机构，驱动源3本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶振探头的遮挡装置，其特征在于，包括：遮挡组件，所述遮挡组件包括多个挡片，多个挡片能够配合形成遮挡晶振片的遮挡部；驱动组件，其与遮挡组件连接，所述驱动组件驱动遮挡组件运动以控制所述遮挡部的开合程度。2.根据权利要求1所述的晶振探头的遮挡装置，其特征在于，还包括第一套管，所述第一套管位于晶振探头一侧，所述遮挡组件位于所述第一套管远离所述晶振探头的一侧。3.根据权利要求2所述的晶振探头的遮挡装置，其特征在于，所述第一套管为锥筒形，所述第一套管靠近所述晶振片的一端孔径小于其远离所述晶振片的一端。4.根据权利要求2所述的晶振探头的遮挡装置，其特征在于，所述驱动组件包括驱动源和连杆机构，所述遮挡部设置在所述连杆机构上，所述驱动源驱动所述连杆机构运动以带动遮挡部运动。5.根据权利要求1所述的晶振探头的遮挡装置，其特征在于，还包括位于晶振探头一侧的第一套管和第二套管，所述第二套管位于第一套管内侧并能够沿所述第一套管的轴向滑动；所述挡片位于...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡冬伟，高永喜，丁磊，闫洪刚，冯敏强，
申请(专利权)人：江苏集萃有机光电技术研究所有限公司，
类型：新型
国别省市：
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