一种沉积装置制造方法及图纸

本方案提供了一种沉积装置，包括：位于沉积室内侧的升降基座和可活动设置的检测机构；所述检测机构在沉积装置进行沉积室检测时，伸入所述升降基座和预置于沉积室顶部的靶材之间对靶材和/或预置于所述升降基座上的晶圆进行检测，并在完成检测之后，离开所述升降基座和靶材之间的区域。本方案能够减少故障排查时间，提高排查的准确性和及时性。提高排查的准确性和及时性。提高排查的准确性和及时性。

【技术实现步骤摘要】
一种沉积装置


[0001]本方案涉及半导体
，特别涉及一种沉积装置。

技术介绍

[0002]在气相沉积PVD工艺中，靶材基片间距，加热器调平，升降销调平以及靶材的实际使用寿命(例如厚度)属于沉积过程中十分重要的参数。
[0003]目前在PVD设备正常工艺过程期间，对实际靶材基片间距(target
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to
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substrate spacing)，加热器调平(heater leveling)，升降销调平(lift pin leveling)的测量与校准需要通过开腔，使用标尺等测量工具的方式进行手动量测，而对于靶材表面的erosion profile(刻蚀剖面)及剩余厚度需要换下靶材做切片测试来确认。

技术实现思路

[0004]本方案意在提供一种能够对沉积装置内部空间距离进行测量的沉积装置，能够减少故障排查时间，提高排查的准确性和及时性。
[0005]为实现上述目的，本方案采用如下技术方案：
[0006]第一个方面，本方案提供了一种沉积装置，其特征在于，包括：位于沉积室内侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沉积装置，其特征在于，包括：位于沉积室(1)内侧的升降基座(2)和可活动设置的检测机构(3)；所述检测机构(3)在沉积装置进行沉积室(1)检测时，伸入所述升降基座(2)和预置于沉积室(1)顶部的靶材(4)之间对靶材(4)和/或预置于所述升降基座(2)上的晶圆(5)进行检测，并在完成检测之后，离开所述升降基座(2)和靶材(4)之间的区域。2.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述沉积室(1)内具有沉积工作区(101)；所述沉积工作区(101)为所述升降基座(2)和靶材(4)之间的对晶圆(5)进行沉积的空间。3.根根据权利要求2所述的沉积装置，其特征在于，所述沉积室(1)内具有沉积腔；在所述升降基座(2)从所述沉积腔底部盖合所述沉积腔之前，所述沉积腔和升降基座(2)之间具有空隙，所述检测机构(3)能够从所述空隙伸入升降基座(2)和靶材(4)之间。4.根根据权利要求2所述的沉积装置，其特征在于，包括：位于沉积室(1)的沉积工作区(101)上方的固定机构，所述靶材(4)通过固定机构固定在沉积室(1)内，且至少一部分位于沉积室(1)的沉积工作区(101)内。5.根据权利要求2所述的沉积装置，其特征在于，包括：所述沉积室(1)的上部设有沉积腔，所述沉积腔内的空间作为所述沉积工作区(101)；在沉积装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：张子玉，章星，李远，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：