本方案提供了一种沉积装置，包括：位于沉积室内侧的升降基座和可活动设置的检测机构；所述检测机构在沉积装置进行沉积室检测时，伸入所述升降基座和预置于沉积室顶部的靶材之间对靶材和/或预置于所述升降基座上的晶圆进行检测，并在完成检测之后，离开所述升降基座和靶材之间的区域。本方案能够减少故障排查时间，提高排查的准确性和及时性。提高排查的准确性和及时性。提高排查的准确性和及时性。
【技术实现步骤摘要】
一种沉积装置
[0001]本方案涉及半导体
，特别涉及一种沉积装置。
技术介绍
[0002]在气相沉积PVD工艺中，靶材基片间距，加热器调平，升降销调平以及靶材的实际使用寿命(例如厚度)属于沉积过程中十分重要的参数。
[0003]目前在PVD设备正常工艺过程期间，对实际靶材基片间距(target
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to
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substrate spacing)，加热器调平(heater leveling)，升降销调平(lift pin leveling)的测量与校准需要通过开腔，使用标尺等测量工具的方式进行手动量测，而对于靶材表面的erosion profile(刻蚀剖面)及剩余厚度需要换下靶材做切片测试来确认。
技术实现思路
[0004]本方案意在提供一种能够对沉积装置内部空间距离进行测量的沉积装置，能够减少故障排查时间，提高排查的准确性和及时性。
[0005]为实现上述目的，本方案采用如下技术方案：
[0006]第一个方面，本方案提供了一种沉积装置，其特征在于，包括：位于沉积室内侧的升降基座和可活动设置的检测机构；所述检测机构在沉积装置进行沉积室检测时，伸入所述升降基座和预置于沉积室顶部的靶材之间对靶材和/或预置于所述升降基座上的晶圆进行检测，并在完成检测之后，离开所述升降基座和靶材之间的区域。
[0007]在一种优选地实施例中，所述沉积室内具有沉积工作区；所述沉积工作区为所述升降基座和靶材之间的对晶圆进行沉积的空间。
[0008]在一种优选地实施例中，所述沉积室内具有沉积腔；在所述升降基座从所述沉积腔底部盖合所述沉积腔之前，所述沉积腔和升降基座之间具有空隙，所述检测机构能够从所述空隙伸入升降基座和靶材之间。
[0009]在一种优选地实施例中，位于沉积室的沉积工作区上方的固定机构，所述靶材通过固定机构固定在沉积室内，且至少一部分位于沉积室的沉积工作区内。
[0010]在一种优选地实施例中，所述沉积室的上部设有沉积腔，所述沉积腔内的空间作为所述沉积工作区；在沉积装置进行沉积工作时，所述靶材位于沉积腔顶部；所述升降基座将预置在其上的晶圆升至沉积腔底部，使所述晶圆位于所述沉积腔内。
[0011]在一种优选地实施例中，所述升降基座包括：用于承载晶圆的承载平台和固定在承载平台下方的升降机构。
[0012]在一种优选地实施例中，所述检测机构包括：传动机构和固定在传动机构前端的检测仪；所述检测仪通过传动机构，穿过所述预定空隙传送至靶材下方，且能够在靶材下方移动；或者，穿过所述预定空隙传送至升降基座上预置的晶圆上方。
[0013]在一种优选地实施例中，所述传动机构包括：动力源和传动结构；所述传动结构的一侧与动力源固定；所述传动结构的另一侧设置检测仪；所述传动结构包括：传动连杆、传
动悬臂、传动转盘中的一种或多种。
[0014]在一种优选地实施例中，所述传动机构采用机械臂；所述检测仪设置在机械臂的一端。
[0015]在一种优选地实施例中，包括控制单元，基于实时控制指令或预定的检测计划，控制所述检测机构对靶材和/或晶圆进行检测。
[0016]有益效果
[0017]本方案能够在不开腔的情况下进行，加热器调平和升降销调平的测量，能够及时将晶圆在PVD沉积室内的放置情况反馈给工程师，大幅度减少故障排除的时间；
[0018]本方案能够在调节靶材基片间距时，实时获得准确的数据，便于记录、分析靶材整个使用周期内靶材基片间距对薄膜(film)的厚度均匀性等性质的影响，以维持工艺稳定；
[0019]本方案能够直接获取腔内靶材的表面形貌信息，通过与原始靶材形貌与厚度的对比，获取靶材的剩余厚度，免去送切测试造成的人力物力消耗。
附图说明
[0020]图1示出本方案所述沉积装置的一种实施例的示意图；
[0021]图2示出本方案所述沉积装置进行靶材检测的一种实施例的示意图；
[0022]图3示出本方案所述沉积装置进行晶圆检测的一种实施例的示意图；
[0023]图4示出本方案所述检测方法的示意图。
[0024]标号说明
[0025]1、沉积室；101、沉积工作区；
[0026]2、升降基座；201、承载平台；202、升降机构；
[0027]3、检测机构；301、传动机构；302、检测仪；
[0028]4、靶材；
[0029]5、晶圆。
具体实施方式
[0030]以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其它优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0031]需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，虽图示中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量、位置关系及比例可在实现本方技术方案的前提下随意改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。因此，可以预见到例如因为制造技术和/或公差而导致示意图中的形状有所变化。因此，示例性实施例不应所述被认为限于图中所示区域的具体形状，而是还可以包括由例如制造工艺造成的形状偏差。在附图中，为了清晰起见，可能会放大某些层和区域的长度和尺寸。附图中的相似附图标记表示相似的部件。还应所述理解到，当某一层被称为“位于其它层或基板上”时，所述层可以直接位于其它层或基板上，或者也可以存在中间层。
[0032]经研究和分析，在现有方案中，通过开腔换下靶材进行PM分析检测的方式，来确认靶材基片间距(target
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to
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substrate spacing)，加热器调平(heater leveling)，升降销调平(lift pin leveling)以及靶材的实际使用寿命(厚度)等参数，需要大量的时间、人力与物力，并且存在反馈时间慢，靶材送切测试后就不能再次使用等问题。
[0033]因此，本方案意在提供一种沉积装置，通过改变沉积装置的底部空间，增加检测机构，当pedastal/E
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chuck(基座/静电吸盘)降下时，检测机构从基座和沉积工作区之间的间隙进入沉积室的沉积工作区或基座的上方，对沉积室的靶材和/或基座上的晶圆进行检测，以获取腔室内部的空间信息。
[0034]为使本方案的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本方案具体实施例做详细的说明。
[0035]如图1所示，本方案所述沉积装置包括：沉积室1；沉积室1内安装有升降基座2和检测机构3。升降基座2位于沉积室1内部，固定在沉积室1的底部，升降基座2能够沿垂直方向在沉积室1内上下移动。检测机构3可以固定在沉积室1的室壁上，也可以固定在沉积室1的底部。检测机本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种沉积装置，其特征在于，包括：位于沉积室(1)内侧的升降基座(2)和可活动设置的检测机构(3)；所述检测机构(3)在沉积装置进行沉积室(1)检测时，伸入所述升降基座(2)和预置于沉积室(1)顶部的靶材(4)之间对靶材(4)和/或预置于所述升降基座(2)上的晶圆(5)进行检测，并在完成检测之后，离开所述升降基座(2)和靶材(4)之间的区域。2.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述沉积室(1)内具有沉积工作区(101)；所述沉积工作区(101)为所述升降基座(2)和靶材(4)之间的对晶圆(5)进行沉积的空间。3.根根据权利要求2所述的沉积装置，其特征在于，所述沉积室(1)内具有沉积腔；在所述升降基座(2)从所述沉积腔底部盖合所述沉积腔之前，所述沉积腔和升降基座(2)之间具有空隙，所述检测机构(3)能够从所述空隙伸入升降基座(2)和靶材(4)之间。4.根根据权利要求2所述的沉积装置，其特征在于，包括：位于沉积室(1)的沉积工作区(101)上方的固定机构，所述靶材(4)通过固定机构固定在沉积室(1)内，且至少一部分位于沉积室(1)的沉积工作区(101)内。5.根据权利要求2所述的沉积装置，其特征在于，包括：所述沉积室(1)的上部设有沉积腔，所述沉积腔内的空间作为所述沉积工作区(101)；在沉积装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：张子玉，章星，李远，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
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