功率型LED光源装置制造方法及图纸

技术编号:3229132 阅读:127 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种功率型LED光源装置,为一种适合多芯片大功率的LED光源装置,包括散热部件、芯片、电极引脚、透镜以及连线;所述散热部件包括采用纯铜镀银材料制成的基座、固定在基座上表面的帽体和同样固定在基座上表面且位于帽体内部的焊片组成;所述芯片可以是一片或多片,为半导体材料,所述芯片固定于焊片的上表面,连线将芯片和电极引脚相连接;该功率型LED光源装置采用半包封结构,透镜位于LED光源装置的最上部,所述透镜和帽体围成的内部空腔可容纳芯片、连线以及焊片。由于采用导热与光、电系统分离的结构,克服了传统铝基板表面覆盖PCB线路结构的缺点,大大提高了发光效率。结构简单,采用纯铜镀银材料制成散热部件,大大提高了导热效率,提高了产品的抗衰老能力,适合多芯片大功率产品的封装。产品与外接电源连接更方便,与散热系统结合更灵活更高效,方便产品的集成,使更大功率照明产品的实现成为可能。同时,发光角度大,亮度高,抗衰减能力强,适合用于高亮度点光源;结构更灵活,两只独立电极引脚更方便产品的集成,使更大功率照明产品的实现成为可能。(*该技术在2015年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种LED光源装置,尤其涉及一种功率型LED光源装置
技术介绍
LED是英文light emitting diode(发光二极管)的缩写,它的基本结构是一块电致发光的半导体材料,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,起到保护内部芯线的作用,所以LED的抗震性能好。LED光源的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片,在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层,称为p-n结。在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管,通称LED。当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压),电流从LED阳极流向阴极时,半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线,光的强弱与电流有关。在最近几年,LED的技术取得重大进展,并因其价格和结构方面的广阔发展空间,使得它能够向传统的光源发起挑战,因此也成为照明行业的一个热点。LED光源有以下主要优势1、LED属于低压直流供电,绝缘要求不高,不需要变压器、镇流器、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率型LED光源装置,为一种适合多芯片大功率的LED光源装置,包括散热部件、芯片、电极引脚、透镜以及连线;其特征在于:所述散热部件包括采用纯铜镀银材料制成的基座、固定在基座上表面的帽体和同样固定在基座上表面且位于帽体内部的焊片组成;所述芯片可以是一片或多片,为半导体材料,所述芯片固定于焊片的上表面,连线将芯片和电极引脚相连接;该功率型LED光源装置采用半包封结构,透镜位于LED光源装置的最上部,所述透镜和帽体围城的内部空腔可容纳芯片、连线以及焊片。

【技术特征摘要】
1.一种功率型LED光源装置,为一种适合多芯片大功率的LED光源装置,包括散热部件、芯片、电极引脚、透镜以及连线;其特征在于所述散热部件包括采用纯铜镀银材料制成的基座、固定在基座上表面的帽体和同样固定在基座上表面且位于帽体内部的焊片组成;所述芯片可以是一片或多片,为半导体材料,所述芯片固定于焊片的上表面,连线将芯片和电极引脚相连接;该功率型LED光源装置采用半包封结构,透镜位于LED光源装置的最上部,所述透镜和帽体围城的内部空腔可容纳芯片、连线以及焊片。2.根据权利要求1所述的功率型LED光源装置,其特征在于基座(1)为采用纯铜镀银材料制成的金属薄片。3.根据权利要求1或2所述的功率型LED光源装置,其特征在于基座(1)为菱形,菱形的两尖角附近均设置有通孔(8),在安装LED光源装置时,将螺钉等固定部件穿过所述通孔(8),LED光源装置固定在以金属为基底的PCB板上;基座(1)中部另外还设置有两个小孔,两根电极引脚(6)各穿过一个小孔。4.根据权利要求3所述的功率型LED光源装置,其特征在于采用金属片材制成的焊片(2)的外轮廓为蘑菇形,芯片(3)定位在蘑菇的帽体部分,两根电极引脚(6)定位在蘑菇的杆体两边,两根电极引脚(6)分别为阴极电极和阳极电极。5.根据权利要求3所述的功率型LED光源装置,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:林建明陈秀莲
申请(专利权)人:珠海市力丰光电实业有限公司
类型:实用新型
国别省市:44[中国|广东]

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