本发明专利技术涉及一种多弧源装置和真空镀膜设备。该多弧源装置包括基座，具有容纳腔以及与容纳腔相连通的开口，开口用于设置靶材，容纳腔的内部沿中心至外沿包括内环区与外环区，内环区与外环区之间具有间隙；至少两个第一磁力发生组件间隔设置于内环区；至少两个第二磁力发生组件间隔设置于外环区，第二磁力发生组件产生的磁极与第一磁力发生组件产生的磁极相反。第一磁力发生组件与第二磁力发生组件之间产生闭合的磁场，相邻的第一磁力发生组件之间以及相邻的第二发生装置之间均产生开放的磁场，使得位于复合磁场的靶材在通电点燃后，镀膜微粒可以在较大范围的磁场作用下进行运动，提高镀膜微粒的运动范围，从而提高靶材的利用率。率。率。
【技术实现步骤摘要】
多弧源装置和真空镀膜设备
[0001]本专利技术涉及真空镀膜机的
，特别是涉及多弧源装置和真空镀膜设备。
技术介绍
[0002]物理气相沉积技术(PVD)是指在真空条件下采用物理方法将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。
[0003]传统技术中，通常采用真空镀膜设备对工件进行镀膜。
[0004]然而，目前的真空镀膜设备的靶材利用率较低。
技术实现思路
[0005]基于此，有必要针对真空镀膜设备的靶材利用率较低的问题，提供一种多弧源装置和真空镀膜设备。
[0006]一种多弧源装置，包括：
[0007]基座，具有容纳腔以及与所述容纳腔相连通的开口，所述开口用于设置靶材，所述容纳腔的内部沿中心至外沿包括内环区与外环区，所述内环区与所述外环区之间具有间隙；
[0008]至少两个第一磁力发生组件，间隔设置于所述内环区；
[0009]至少两个第二磁力发生组件，间隔设置于所述外环区，所述第二磁力发生组件产生的磁极与所述第一磁力发生组件产生的磁极相反；
[0010]隔膜板，位于所述开口处，所述隔膜板用于与所述靶材接触。
[0011]在其中一个实施例中，所述第一磁力发生组件的数量与所述第二磁力发生组件的数量相同，且一一对应。
[0012]在其中一个实施例中，所述第一磁力发生组件沿圆形阵列排布。
[0013]在其中一个实施例中，所述第一磁力发生组件沿线型阵列排布。
[0014]在其中一个实施例中，所述容纳腔内还设置有磁力调节装置，所述磁力调节装置用于产生附加磁场，所述附加磁场用于叠加于所述第一磁力发生组件与所述第二磁力发生组件所形成的磁场。
[0015]在其中一个实施例中，所述磁力调节装置可于所述容纳腔内活动，以靠近或远离所述开口。
[0016]在其中一个实施例中，所述磁力调节装置包括线圈，所述线圈活动设置于所述内环区与所述外环区之间的间隙内。
[0017]在其中一个实施例中，所述磁力调节装置包括驱动件，所述驱动件用于驱动所述线圈相对所述隔膜板滑移。
[0018]在其中一个实施例中，还包括PID控制装置，所述PID控制装置与所述磁力调节装置电连通，所述PID控制装置用于接收所述容纳腔的磁场情况并对所述磁力调节装置进行
调整。
[0019]一种真空镀膜设备，包括上述的多弧源装置。
[0020]上述多弧源装置，通过基座安装靶材、第一磁力发生组件与第二磁力发生组件。第一磁力发生组件与第二磁力发生组件之间产生闭合的磁场，相邻的第一磁力发生组件之间产生开放的磁场，相邻的第二发生装置之间也可以产生开放的磁场，从而使得位于各第一磁力发生组件与各第二磁力发生组件之间所复合得到的复合磁场的靶材在通电点燃后，镀膜微粒可以在较大范围的磁场作用下进行运动，提高镀膜微粒的运动范围，从而提高靶材的利用率。
附图说明
[0021]图1为本专利技术的一实施例所示的多弧源装置的结构示意图；
[0022]图2为本专利技术的一实施例所示的多弧源装置的容纳腔的结构示意图；
[0023]图3为本专利技术的一实施例所示的多弧源装置的磁场示意图；
[0024]图4为本专利技术的一实施例所示的多弧源装置的磁场示意图(磁力调节装置产生第一方向的磁场)；
[0025]图5为本专利技术的一实施例所示的多弧源装置的磁场示意图(磁力调节装置产生第二方向的磁场)。
[0026]附图标记：100、基座；110、容纳腔；111、环形内沿；112、开口；120、内环区；130、外环区；140、冷却层；150、冷却板；160、冷却管；170、安装座；180、冷却空间；200、第一磁力发生组件；300、第二磁力发生组件；400、隔膜板；500、磁力调节装置；510、线圈；520、驱动件；600、靶材。
具体实施方式
[0027]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0028]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0029]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0030]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内
部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0031]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0032]需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
[0033]本专利技术的一实施例提供了一种真空镀膜设备，其包括如图1
‑
图5所示的多弧源装置。多弧源装置可以引燃靶材600获得镀膜微粒，镀膜微粒可以运动至工件表面，以对工件表面进行镀膜。
[0034]参阅图1
‑
图2，本专利技术的一实施例提供的一种多弧源装置，其包本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多弧源装置，其特征在于，包括：基座，具有容纳腔以及与所述容纳腔相连通的开口，所述开口用于设置靶材，所述容纳腔的内部沿中心至外沿包括内环区与外环区，所述内环区与所述外环区之间具有间隙；至少两个第一磁力发生组件，间隔设置于所述内环区；至少两个第二磁力发生组件，间隔设置于所述外环区，所述第二磁力发生组件产生的磁极与所述第一磁力发生组件产生的磁极相反；隔膜板，位于所述开口处，所述隔膜板用于与所述靶材接触。2.根据权利要求1所述的多弧源装置，其特征在于，所述第一磁力发生组件的数量与所述第二磁力发生组件的数量相同，且一一对应。3.根据权利要求1所述的多弧源装置，其特征在于，所述第一磁力发生组件沿圆形阵列排布。4.根据权利要求1所述的多弧源装置，其特征在于，所述第一磁力发生组件沿线型阵列排布。5.根据权利要求1所述的多弧源装置，其特征在于，所述容纳腔内还设置有磁力调节装置，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：林海天，李立升，郑礼伟，陈松，杨恺，
申请(专利权)人：东莞市华升真空镀膜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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