一种弧电源制造技术

本实用新型专利技术涉及一种弧电源，包括外壳、IGBT模块以及第一风扇，其中：外壳包括底板以及设置于底板上的环状侧板，底板与环状侧板形成第一空腔，环状侧板中包括进风板，进风板上开设有多个间隔设置的进风口；第一风扇位于第一空腔内，且安装于进风板；IGBT模块设置于第一空腔内，且与底板连接，IGBT模块包括散热片以及设置于散热片上方的IGBT，IGBT在进风板的正投影位于第一风扇内，第一风扇可以通过进风口将弧电源外的空气引入第一空腔内对IGBT进行冷却以及IGBT处的热气扩散至弧电源外，更利于第一风扇对IGBT进行冷却，不会使IGBT一直处于高温状态，从而延长了IGBT的使用寿命，继而提高了电子装置的稳定性和可靠性。提高了电子装置的稳定性和可靠性。提高了电子装置的稳定性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种弧电源


[0001]本技术涉及电子装置
，特别是涉及一种弧电源。

技术介绍

[0002]随着电子装置的不断发展，为提高电子装置的稳定性，要求电子装置中具有更稳定的电源，而弧电源具有较高的电流稳定率，常用于为各种电子装置提供电力，目前在弧电源腔体中，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor, 绝缘栅双极型晶体管)功率模块作为弧电源中重要的组成器件之一，IGBT的稳定性更大程度决定了弧电源的稳定。
[0003]IGBT是由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET器件的高输入阻抗和电力晶体管(即巨型晶体管，简称GTR)的高速开关特性两方面的优点，但是在瞬间大电流和持续大电流情况下，IGBT很容易过温烧坏，从而影响电子装置的稳定性和可靠性。
[0004]目前对IGBT功率器件的散热主要还是依靠自然风速的对流进行IGBT功率器件冷却，依靠自然风的方式导致冷热交换效率低，冷却速度慢，影响IGBT的正常工作，导致电子装置的稳定性和可靠性降低。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对电子装置稳定性和可靠性较低的问题，提供一种弧电源。
[0006]一种弧电源，包括外壳、IGBT模块以及第一风扇，其中：
[0007]所述外壳包括底板以及设置于所述底板上的环状侧板，所述底板与所述环状侧板形成第一空腔，四个所述侧板中包括进风板，所述进风板上开设有多个间隔设置的进风口；/>[0008]所述第一风扇位于所述第一空腔内，且安装于所述进风板；
[0009]所述IGBT模块设置于所述第一空腔内，且与所述底板连接，所述IGBT模块包括散热片以及设置于所述散热片上方的IGBT，所述IGBT在所述进风板的正投影位于所述第一风扇内。
[0010]上述弧电源，通过设置IGBT在进风板的正投影位于第一风扇内，则第一风扇的出风范围包括IGBT所处的区域，可以快速地对IGBT进行冷却，且在开设有进风口的进风板上设置第一风扇，第一风扇可以通过进风口将弧电源外的空气引入第一空腔内对IGBT进行冷却以及IGBT处的热气扩散至弧电源外，更利于第一风扇对IGBT进行冷却，相对目前依靠自然风速的对流对进行IGBT进行冷却的方式，本技术设置第一风扇提高了冷热交换效率，不会使IGBT一直处于高温状态，从而延长了IGBT的使用寿命，继而提高了电子装置的稳定性和可靠性。
[0011]在其中一个实施例中，多个所述进风口呈矩阵排布。
[0012]在其中一个实施例中，所述第一风扇包括第一风扇罩以及安装于所述第一风扇罩内的第一扇叶，多个所述进风口中位于所述第一风扇罩内的多个第一进风口的面积之和占据所述第一风扇罩轮廓内面积的80％。
[0013]在其中一个实施例中，还包括第二风扇，所述第二风扇安装于所述进风板靠近所述IGBT的一侧，与所述第一风扇间隔设置。
[0014]在其中一个实施例中，所述第二风扇包括第二风扇罩以及安装于所述第二风扇罩内的第二扇叶，多个所述进风口中位于所述第二风扇罩内的多个第二进风口的面积之和占据所述第二风扇罩轮廓内面积的80％。
[0015]在其中一个实施例中，还包括温度传感模块和控制模块，其中：
[0016]所述温度传感模块安装于所述散热片，用于采集所述IGBT的温度信息；
[0017]所述控制模块与所述温度传感模块和所述IGBT模块通信连接，用于根据接收到的所述温度信息和预设的温度信息控制所述IGBT模块关闭。
[0018]在其中一个实施例中，所述温度传感模块包括温度传感器和传感器压块，其中：
[0019]所述传感器压块固定于所述散热片上方，所述传感器压块的一侧开设有U 型槽，所述U型槽开口于所述传感器压块接触所述散热片的表面；
[0020]所述温度传感器插接于所述U型槽内。
[0021]在其中一个实施例中，所述传感器压块还开设有贯穿其厚度的第一通孔，所述第一通孔与所述U型槽间隔设置，紧固件穿过所述第一通孔将所述传感器压块与所述散热片固定为一体。
[0022]在其中一个实施例中，所述散热片为铝合金型材。
[0023]本专利技术还公开了一种电子装置，包括如上述任一实施例所述的弧电源。
[0024]上述电子装置，包括弧电源，该弧电源通过设置IGBT在进风板的正投影位于第一风扇内，使第一风扇的出风范围包括IGBT所处的区域，可以快速地对IGBT 进行冷却，且在开设有进风口的进风板上设置第一风扇，第一风扇可以通过进风口将弧电源外的空气引入第一空腔内对IGBT进行冷却以及IGBT处的热气扩散至弧电源外，更利于第一风扇对IGBT进行冷却，相对目前依靠自然风速的对流对进行IGBT进行冷却的方式，本技术设置第一风扇提高了冷热交换效率，不会使IGBT一直处于高温状态，从而延长了IGBT的使用寿命，继而提高了电子装置的稳定性和可靠性。
附图说明
[0025]图1为本技术提供的一种弧电源示意图；
[0026]图2为图1中的一种IGBT模块示意图；
[0027]图3为图2中的一种温度传感器模块示意图。
[0028]其中：
[0029]10、弧电源；a、第一方向；
[0030]100、外壳；110、进风板；111、进风口；120、第一空腔；
[0031]200、IGBT模块；210、散热片；220、IGBT；
[0032]300、第一风扇；310、第一风扇罩；320、第一扇叶；
[0033]400、第二风扇；410、第二风扇罩；420、第二扇叶；
[0034]500、温度传感模块；510、温度传感器；520、传感器压块；521、第一通孔。
具体实施方式
[0035]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0036]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0037]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种弧电源，其特征在于，包括外壳、IGBT模块以及第一风扇，其中：所述外壳包括底板以及设置于所述底板上的环状侧板，所述底板与所述环状侧板形成第一空腔，所述环状侧板中包括进风板，所述进风板上开设有多个间隔设置的进风口；所述第一风扇位于所述第一空腔内，且安装于所述进风板；所述IGBT模块设置于所述第一空腔内，且与所述底板连接，所述IGBT模块包括散热片以及设置于所述散热片上方的IGBT，所述IGBT在所述进风板的正投影位于所述第一风扇内。2.根据权利要求1所述的弧电源，其特征在于，多个所述进风口呈矩阵排布。3.根据权利要求2所述的弧电源，其特征在于，所述第一风扇包括第一风扇罩以及安装于所述第一风扇罩内的第一扇叶，多个所述进风口中位于所述第一风扇罩内的多个第一进风口的面积之和占据所述第一风扇罩轮廓内面积的80％。4.根据权利要求2所述的弧电源，其特征在于，还包括第二风扇，所述第二风扇安装于所述进风板靠近所述IGBT的一侧，与所述第一风扇间隔设置。5.根据权利要求4所述的弧电源，其特征在于，所述第二风扇包括第二风扇罩以及安装于所述第二风扇罩内的第二扇叶，多个所述进风...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨恺，林海天，李立升，林美求，
申请(专利权)人：东莞市华升真空镀膜科技有限公司，
类型：新型
国别省市：