复合镀膜设备、复合镀膜方法以及镀膜工件技术

本发明专利技术涉及一种复合镀膜设备、复合镀膜方法以及镀膜工件。复合镀膜设备包括内部具有镀膜空间的腔体、转动设置于腔体的镀膜空间内的工件架、设置于腔体侧壁的电弧靶模块与磁控靶模块、及控制器。电弧靶模块用于产生电弧阴极等离子体，磁控靶模块用于产生磁控溅射等离子体。控制器用于控制电弧靶模块与磁控靶模块的启闭。通过控制电弧靶模块与磁控靶模块的启闭与开启时间，以使工件本体表面形成电弧阴极沉积层、磁控溅射沉积层或复合沉积层。复合镀膜设备所形成的沉积层的种类、成分均多元化。复合沉积层的膜层结合力较好、硬度高、内应力小、沉积层表面液滴小且少，摩擦系数低，可以选择高熔点材料作为靶材、沉积速率高、成本低。成本低。成本低。

【技术实现步骤摘要】
复合镀膜设备、复合镀膜方法以及镀膜工件


[0001]本专利技术涉及真空镀膜设备
，特别是涉及复合镀膜设备、复合镀膜方法以及镀膜工件。

技术介绍

[0002]随着科技的发展，在对工件表面进行镀膜时，尤其是一些特殊的、加工精度高的产品进行镀膜时，会选择真空镀膜的方式，以形成沉积层分布较为均匀的工件。在真空镀膜过程中，可以根据等离子体产生方式的不同选择真空镀膜设备。比如，可以选择电弧离子镀膜设备进行真空镀膜。
[0003]传统技术中，电弧离子镀膜设备包括腔体与电弧靶模块，电弧靶模块可以将靶材形成电弧阴极等离子体，电弧阴极等离子体可以沉积在工件表面以形成电弧阴极沉积层。
[0004]然而，目前的电弧阴极沉积层的表面较为粗糙，易形成液滴，导致无法选择高熔点的材料作为靶材，不利于镀膜工艺的多元化组合，无法满足对工件沉积膜性能的要求。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对电弧离子镀膜设备无法进行镀膜工艺的多元化组合的问题，提供一种复合镀膜设备、复合镀膜方法以及镀膜工件。
[0006]一种复合镀膜设备，包括：
[0007]腔体，内部具有镀膜空间；
[0008]工件架，转动设置于腔体，所述工件架位于镀膜空间内；
[0009]电弧靶模块；所述电弧靶模块设置于所述腔体侧壁，所述电弧靶模块用于产生电弧阴极等离子体；
[0010]磁控靶模块；所述磁控靶模块设置于所述腔体侧壁，所述磁控靶模块用于产生磁控溅射等离子体；
[0011]控制器，所述控制器用于控制所述电弧靶模块与所述磁控靶模块的启闭。
[0012]在其中一个实施例中，所述电弧靶模块与所述磁控靶模块的数量均为两个及以上，所述电弧靶模块与所述磁控靶模块沿腔体周向交替设置。
[0013]在其中一个实施例中，所述腔体包括多个安装槽，所述安装槽用于与电弧靶模块或所述磁控靶模块可拆卸连接。
[0014]在其中一个实施例中，所述工件架包括刀盘与架体，所述刀盘位于所述镀膜空间内，所述刀盘转动设置于所述腔体；所述架体的数量为多个，多个所述架体沿到沿所述刀盘周向间隔设置于所述刀盘。
[0015]在其中一个实施例中，所述架体转动设置于所述刀盘，所述架体的转动速度大于所述刀盘的转动速度。
[0016]在其中一个实施例中，所述复合镀膜设备还包括离子刻蚀模块，所述离子刻蚀模块设置于所述腔体侧壁；
[0017]和/或，所述复合镀膜设备还包括加热件，所述加热件设置于所述腔体侧壁。
[0018]一种复合镀膜方法，在至少一个镀膜时间内对工件本体的表面进行沉积镀膜，在任一镀膜时间内开启电弧靶模块与磁控靶模块中的至少一个；
[0019]其中，相邻的镀膜时间内，所述电弧靶模块的启闭状态不同，和/或，所述磁控靶模块的启闭状态不同。
[0020]一种复合镀膜方法，同时开启电弧靶模块与磁控靶模块，以使工件本体的表面形成复合沉积层。
[0021]一种镀膜工件，包括：
[0022]工件本体；及
[0023]至少两个沉积层，所述沉积层由上述的复合镀膜设备形成，所述沉积层依次设置于所述工件本体的表面，各所述沉积层选自电弧阴极沉积层、磁控溅射沉积层以及复合沉积层的一种；
[0024]并且，相邻的所述沉积层的材质不同。
[0025]一种镀膜工件，包括：工件本体及设置于工件本体的表面的复合沉积层，所述复合沉积层由上述的复合镀膜设备形成。
[0026]上述复合镀膜设备，可以通过控制器控制电弧靶模块与磁控靶模块的启闭状态，使得表面所形成的沉积层的成分进行变化，比如形成电弧阴极沉积层、磁控溅射沉积层或复合沉积层。由于电弧靶模块与磁控靶模块所设置的靶材不同，因此可以获得材质多元化的复合沉积层，也可以获得电弧阴极沉积层、磁控溅射沉积层以及复合沉积层中的至少两种复合层。这样的设置可以使得复合镀膜设备所形成的沉积层的种类、成分均多元化。除此之外，复合镀膜设备所形成的复合沉积层的膜层结合力较好，而且复合沉积层的硬度高、内应力小、沉积层表面液滴小且少，摩擦系数低，可以选择高熔点材料作为靶材、沉积速率高、成本低。
附图说明
[0027]图1为本专利技术的一实施例提供的一种复合镀膜设备的结构示意图。
[0028]图2为本专利技术的一实施例提供的一种复合镀膜设备的腔体截面示意图。
[0029]图3为图2中所示的复合镀膜设备的一种工作状态下的结构示意图。
[0030]图4
‑
图9为本专利技术的不同实施例提供的镀膜工件的部分层结构示意图。
[0031]附图标记说明：
[0032]001、工件本体；010、电弧阴极沉积层；020、磁控溅射沉积层；030、复合沉积层；
[0033]100、腔体；101、镀膜空间；110、安装槽；
[0034]200、电弧靶模块；201、电弧阴极等离子体；
[0035]300、磁控靶模块；301、磁控溅射等离子体；
[0036]400、控制模块；
[0037]500、工件架；510、刀盘；520、架体；
[0038]600、离子刻蚀模块；
[0039]700、加热模块；
[0040]800、底座；
[0041]900、真空模块；910、分子泵；920、真空管道；930、前级泵；
[0042]1000、冷却组件；
[0043]1100、电源控制箱。
具体实施方式
[0044]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0045]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0046]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0047]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合镀膜设备，其特征在于，包括：腔体，内部具有镀膜空间；工件架，转动设置于腔体，所述工件架位于镀膜空间内；电弧靶模块；所述电弧靶模块设置于所述腔体侧壁，所述电弧靶模块用于产生电弧阴极等离子体；磁控靶模块；所述磁控靶模块设置于所述腔体侧壁，所述磁控靶模块用于产生磁控溅射等离子体；控制器，所述控制器用于控制所述电弧靶模块与所述磁控靶模块的启闭。2.根据权利要求1所述的复合镀膜设备，其特征在于，所述电弧靶模块与所述磁控靶模块的数量均为两个及以上，所述电弧靶模块与所述磁控靶模块沿腔体周向交替设置。3.根据权利要求1所述的复合镀膜设备，其特征在于，所述腔体包括多个安装槽，所述安装槽用于与电弧靶模块或所述磁控靶模块可拆卸连接。4.根据权利要求1所述的复合镀膜设备，其特征在于，所述工件架包括刀盘与架体，所述刀盘位于所述镀膜空间内，所述刀盘转动设置于所述腔体；所述架体的数量为多个，多个所述架体沿到沿所述刀盘周向间隔设置于所述刀盘。5.根据权利要求4所述的复合镀膜设备，其特征在于，所述架体转动设置于所述刀盘，所述架体的转动速度大于所述刀盘的转动速度。6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨恺，林海天，李立升，刘贵，
申请(专利权)人：东莞市华升真空镀膜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：