稀土离子掺杂ITO靶材的制备方法技术

本发明专利技术提供一种稀土离子掺杂ITO靶材的制备方法，属于ITO靶材领域，通过粉末真空上料

【技术实现步骤摘要】
稀土离子掺杂ITO靶材的制备方法


[0001]本专利技术涉及ITO靶材领域，尤其涉及一种稀土离子掺杂ITO靶材的制备方法。

技术介绍

[0002]氧化铟锡靶材（ITO）靶材薄膜由于具有高透过率、低阻抗、高耐候性等优良特点，因此被广泛应用于太阳能、液晶显示、触摸屏、半导体显示器件等领域。而ITO靶材是磁控溅射制备ITO薄膜材料的主要原材料。太阳能电池行业需要的ITO靶材薄膜需要具备电阻率较低、载流子迁移率高、透光率较高，膜层均匀性好等特征。可以通过调整氧化铟和氧化锡的比例制备出不同比例的ITO靶材，以实现对ITO薄膜的性能控制，如方电阻、透过率、载流子浓度、载流子迁移率等。但随着ITO靶材中的氧化锡含量不断减少，将靶材烧结致密的难度越来越高，这是因为氧化锡熔点低于氧化铟。可以通过在ITO靶材制备中加入稀土氧化物粉体，包括但不仅限于Pr2O5、Y2O3等，可以有效提高ITO靶材薄的载流子迁移率，同时可以提高靶材的致密度，降低开裂率，提高产品的成品率。目前对于ITO靶材掺杂稀土离子缺少相应的工艺方法，需要一种稀土离子掺杂ITO靶材的制备方法。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种稀土离子掺杂ITO靶材的制备方法，其特征在于：包括有以下步骤：步骤一：在预混合罐中加入定量的水，氧化铟和氧化锡粉体按90
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97：3
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10的质量比进行混合，再加入0.1
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1.0wt.%的稀土氧化物粉体，之后倒入真空上料机中进行自动上料；步骤二：上料完成后，开启预混罐搅拌桨，进行粗磨；粗磨完成后，将浆料打到砂磨第一个储料罐，开启精磨砂磨机主机，进行自循环精磨；精磨完成后，将ITO浆料使用隔膜泵打到第二个储料罐中，开启纳米级砂磨机进行纳米级砂磨，同时加入分散剂；步骤四：砂磨完成后进行过筛，过筛目数200
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400目，将过筛后的浆料转到配胶罐中，加入粘结剂和消泡剂，搅拌2H，搅拌速度400rpm/min；步骤五：搅拌完成后，对ITO浆料进行造粒，造好粒的ITO粉末进行混合，分级过筛，最终得到一次粒径、和二次粒径的ITO粉末；步骤六：将粉体进行成型处理，通过将粉体装入模具中进行干压、冷等静压成型；将成型好的素坯进行车削加工至规定形状；步骤七：将加工好的素坯放入烧结炉进行脱脂、常压烧结得到靶材，之后对靶材进行机加工：切割、磨边、磨内外圆。2.如权利要求1所述稀土离子掺杂ITO靶材的制备方法，其特征在于：所述步骤七烧结为：（1）以5℃/min的升温速率升温至600℃，保温2
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5h，通入氧气流量为8L/min；（2）以1.5℃/min的升温速率升温至1250
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1400℃，保温8h，通入氧气流量为12L/min；（...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志强，马建保，林燕明，曾墩风，陶成，毕荣锋，
申请(专利权)人：芜湖映日科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：