MEMS谐振器驱动电路及电子设备制造技术

本发明专利技术提供一种MEMS谐振器驱动电路及电子设备，涉及MEMS谐振器技术领域。该MEMS谐振器驱动电路包括：第一电压源(VCC_H)、第二电压源(VCC_L)、共栅放大器、恒流源、输入端口(I

【技术实现步骤摘要】
的一端与第一反相器的输出端电连接，第二反馈电阻R5的另一端与第三PMOS管M10的漏极和第八NMOS管M
11
的漏极电连接并共同构成第二反相器的输出端。
[0019]可选地，第三PMOS管M
10
和第八NMOS管M
11
均为可调型MOS管。
[0020]可选地，第三PMOS管M
10
和第八NMOS管M
11
中的其中一个为可调型MOS管。
[0021]可选地，偏置电路和改进型Cherry
‑
Hooper放大器构成一组增益级电路，MEMS谐振器驱动电路包括相互级联的至少两组增益级电路。
[0022]可选地，还包括共源放大器，共源放大器的输入端与第二反相器的输出端电连接。
[0023]可选地，共源放大器包括：第一输出端口V
out
；第二输出端口V
test
；第一子共源放大器，包括第九NMOS管M
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和第二负载电阻R6，其中，第九NMOS管M
12
的源极接地，第九NMOS管M本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MEMS谐振器驱动电路，其特征在于，包括第一电压源(VCC_H)、第二电压源(VCC_L)、共栅放大器、恒流源、输入端口(I
in
)和偏置电路，其中：所述共栅放大器包括第一NMOS管(M1)和第一负载电阻(R1)，所述第一负载电阻(R1)的一端与所述第一电压源(VCC_H)电连接，所述第一负载电阻(R1)的另一端与所述第一NMOS管(M1)的漏极电连接，所述第一NMOS管(M1)的漏极和所述第一负载电阻(R1)靠近所述第一NMOS管(M1)的一端共同构成所述共栅放大器的输出端；所述恒流源与第一NMOS管(M1)的源极电连接，用于为所述共栅放大器提供偏置电流；所述输入端口(I
in
)与第一NMOS管(M1)的源极电连接，用于接收MEMS谐振器的电流信号；所述偏置电路包括第一隔直电容(C1)、第一偏置电阻(R3)和第二偏置电阻(R4)，所述第一隔直电容(C1)的输入端与所述共栅放大器的输出端电连接，所述第一偏置电阻(R3)的一端与所述第二电压源(VCC_L)电连接，所述第一偏置电阻(R3)的另一端与所述第一隔直电容(C1)的输出端和所述第二偏置电阻(R4)的一端电连接，所述第二偏置电阻(R4)的另一端接地。2.根据权利要求1所述的MEMS谐振器驱动电路，其中，所述第一电压源(VCC_H)的电压高于所述第二电压源(VCC_L)。3.根据权利要求1所述的MEMS谐振器驱动电路，其中，所述第一偏置电阻(R3)和第二偏置电阻(R4)的电阻值相等。4.根据权利要求1所述的MEMS谐振器驱动电路，其中，还包括设置于所述共栅放大器与偏置电路之间的负载电路，其中：所述负载电路与所述共栅放大器的输出端电连接，所述第一隔直电容(C1)的输入端与所述负载电路的输出端电连接。5.根据权利要求4所述的MEMS谐振器驱动电路，其中，所述负载电路包括：第一PMOS管(M6)，所述第一PMOS管(M6)的源极与所述第一电压源(VCC_H)电连接，所述第一PMOS管(M6)的栅极与所述共栅放大器的输出端电连接；第六NMOS管(M7)，所述第六NMOS管(M7)的源极接地，所述第六NMOS管(M7)的漏极与所述第一PMOS管(M6)的漏极电连接，所述第六NMOS管(M7)的栅极与所述共栅放大器的输出端电连接；第一反馈电阻(R2)，所述第一反馈电阻(R2)的一端与所述共栅放大器的输出端电连接，所述第一反馈电阻(R2)的另一端与所述第一PMOS管(M6)的漏极和第六NMOS管(M7)的漏极电连接并共同构成所述负载电路的输出端。6.根据权利要求1所述的MEMS谐振器驱动电路，其中，所述恒流源包括电流源(I_bias)、第二NMOS管(M2)和第三NMOS管(M3)，其中：所述第二NMOS管(M2)的源极接地，所述第二NMOS管(M2)的漏极与所述电流源(I_bias)的正极电连接；所述第三NMOS管(M3)的源极接地，所述第三NMOS管(M3)的漏极与所述第一NMOS管(M1)的源极电连接，所述第二NMOS管(M2)的栅极和第三NMOS管(M3)的栅极均与所述第二NMOS管(M2)的漏极电连接。7.根据权利要求6所述的MEMS谐振器驱动电路，其中，所述电流源(I_bias)与所述第一
电压源(VCC_H)电连接。8.根据权利要求1所述的MEMS谐振器驱动电路，其中，还包括偏置电压电路，所述第一NMOS管(M1)的栅极与所述偏置电压电路电连接。9.根据权利要求8所述的MEMS谐振器驱动电路，其中，所述偏置电压电路包括第四NMOS管(M4)和第五NMOS管(M5)，其中：所述第四NMOS管(M4)的漏极与第四NMOS管(M4)的栅极和所述第一电压源(VCC_H)电连接；所述第五NMOS管(M5)的漏极与所述第四NMOS管(M4)的源极和第五NMOS管(M5)的栅极电连接，所述第五NMOS管(M5)的源极接地。10.根据权利要求8所述的MEMS谐振器驱动电路，其中，所述偏置电压电路还包括第一分压电阻(R8)和第二分压电阻(R9)，其中：所述第一分压电阻(R8)的一端与所述第一电压源(VCC_H)电连接，所述第一分压电阻(R8)的另一端与所述第二分压电阻(R9)的一端电连接，所述第二分压电阻(R9)的另一端接地。11.根据权利要求1所述的MEMS谐振器驱动电路，其中，还包括改进型Cherry
‑
Hooper放大器，所述第一隔直电容(C1)的输出端、所述第一偏置电阻(R3)靠近第一隔直电容(C1)的一端和所述第二偏置电阻(R4)靠近第一隔直电容(C1)的一端共同构成所述偏置电路的输出端，所述改进型Cherry
‑
Hooper放大器包括第一反相器和第二反相器，其中：所述第一反相器包括第二PMOS管(M8)和第七NMOS管(M9)，所述第二PMOS管(M8)的源极与所述第二电压源(VCC_L)电连接，所述第二PMOS管(M8)的栅极与所述偏置电路的输出端电连接；所述第七NMOS管(M9)的源极接地，所述第七NMOS管(M9)的漏极与所述第二PMOS管(M8)的漏极电连接并共同构成所述第一反相器的输出端，所述第七NMOS管(M9)的栅极与所述偏置电路的输出端电连接；所述第二反相器包括第三PMOS管(M
10
)、第八NMOS管(M
11
)和第二反馈电阻(R5)，所述第三PMOS管(M
10
)的源极与所述第二电压源(VCC_L)电连接，所述第三PMOS管(M
10
)的栅极与所述第一反相器...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈华，刘谋，田易，孟真，阎跃鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：