电路和比较器制造技术

实施例公开了电路和比较器。一种前置放大器电路，包括第一对晶体管和第二对晶体管，该第一对晶体管和第二对晶体管具有在第一和第二输出节点处耦合的穿过其中的电流流动路径，并且在电源节点和地的中间提供第一和第二电流流动线。这两对晶体管包括：第一和第二输入晶体管，位于提供相应输入节点的电源节点和接地之一与输出节点的中间；第一和第二负载晶体管，位于电源节点和接地之一与输出节点的中间。负载晶体管具有电容性地耦合到电源节点和地中的另一个的控制端子，并且提供了复位开关装置，该复位开关装置可周期性地激活以将第一输出节点、第二输出节点以及第一负载晶体管和第二负载晶体管的控制端子短接。第二负载晶体管的控制端子短接。第二负载晶体管的控制端子短接。

【技术实现步骤摘要】
电路和比较器


[0001]本公开涉及(前置)放大器电路。
[0002]一个或多个实施例可以应用于例如动态比较器。

技术介绍

[0003]当前，每当需要比较两个电气量(例如，两个模拟电压)时，都使用比较器电路。
[0004]在传统方式中，比较的结果作为逻辑值返回，该逻辑值使用某种数字锁存器来存储。
[0005]所涉及的电路装置可能受到诸如噪声和失配的非理想因素的影响，这可能导致比较精度降低。这种降低的精确度可能进而导致一定量的错误决策，例如，这些错误决策可能在系统设计期间被纳入考量，从而增加对这些错误的鲁棒性。提高比较器性能可以另外导致作为整体的系统的效率的提高。
[0006]为了在比较器设计中实现这一目标，已经考虑的一种方法可能涉及在锁存器之前(上游)引入一个或多个(前置)放大器，以降低锁存器偏移和输入参考噪声发生器。

技术实现思路

[0007]鉴于上述比较器设计中所面临的比较精度低的问题，一个或多个实施例的目的是提供例如在比较器电路中提供改进的前置放大器的改进的解决方案。
>[0008]根据一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电路，其特征在于，包括：第一输入晶体管，具有分别耦合到电源节点和地中的一个、以及第一输出节点的导电端子，所述第一输入晶体管具有耦合到第一输入节点的控制端子；第二输入晶体管，具有分别耦合到所述电源节点和所述地中的所述一个、以及第二输出节点的导电端子，所述第二输入晶体管具有耦合到第二输入节点的控制端子；电容，具有耦合到所述电源节点和所述地中的另一个的第一侧，并且具有第二侧；第一负载晶体管，具有分别耦合到所述第一输出节点、以及所述电源节点和所述地中的所述另一个的导电端子，所述第一负载晶体管具有耦合到所述电容的所述第二侧的控制端子；第二负载晶体管，具有分别耦合到所述第二输出节点、以及所述电源节点和所述地中的所述另一个的导电端子，所述第二负载晶体管具有耦合到所述电容的所述第二侧的控制端子；以及复位开关电路，被配置为响应于被激活，将所述第一输出节点、所述第二输出节点、所述第一负载晶体管的控制端子、以及所述第二负载晶体管的控制端子短接。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，包括：电流供应源，具有阳极和阴极，其中所述阳极和所述阴极中的一个被耦合到所述电源节点和所述地中的一个，并且其中所述阳极和所述阴极中的另一个被配置为灌或者拉第一电流和第二电流两者，所述第一电流流过所述第一输入晶体管和所述第一负载晶体管，所述第二电流流过所述第二输入晶体管和所述第二负载晶体管。3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管具有共用的第一极性，并且所述第一负载晶体管和所述第二负载晶体管具有共用的与所述第一极性相反的第二极性。4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一输入晶体管、所述第二输入晶体管、所述第一负载晶体管和所述第二负载晶体管是场效应晶体管。5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第一输入晶体管、所述第二输入晶体管、所述第一负载晶体管和所述第二负载晶体管是金属氧化物半导体FET。6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述复位开关电路被配置为响应于被激活，将所述第一输出节点设置为零电压。7.一种比较器，其特征在于，包括：第一输入晶体管，具有分别耦合到电源节点和地中的一个、以及第一输出节点的导电端子，所述第一输入晶体管具有耦合到第一输入节点的控制端子；第二输入晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：