大变形压电陶瓷器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大变形压电陶瓷器件，它具有压电陶瓷双晶片，压电陶瓷双晶片具有正变形压电陶瓷片和负压电陶瓷片，各压电陶瓷双晶片在输出端与相邻的压电陶瓷双晶片经垫片刚性联接，组成压电陶瓷双晶叠堆，相邻两压电陶瓷双晶片的变形方向相反。本实用新型专利技术的优点是：变形动态范围大，变形幅度可达１ｍｍ以上，变形角可达８°（２０℃），体积小重量轻，工作温度范围大，精度及重量性好。（*该技术在2005年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及压电陶瓷器件，尤其涉及大变形压电陶瓷器件。压电陶瓷器件具有尺寸小，线性好，可控制，全固化的特点。但是常规压电陶瓷制成的器件变形量都很小，因此它的应用范围受到一定的限制。一般用压电陶瓷制成的偏转器摆角在θ＝10～30°左右，制成的位移器位移量为微米级(并且在外观尺寸上，普通压电陶瓷器件也偏大，例如常规PZT器件，当位移量为1微米时，其尺寸大致为20×20×50mm)。为了实现大位移，通常有以下几个方法1.采用多个压电器件构成叠堆利用压电陶瓷的纵向效应产生变形，将各片压电元件的变形量串联叠加以获得较大的位移量。在工作电压的作用下，工作电场方向平行于极化方向，各片陶瓷的变形方向相同。压电叠堆端面的总位移量为x＝N·d33·VN为压电叠堆压电单元器件的个数d33为压电材料的压电常数V为压电叠堆的工作电压用该种方案可获得的位移量最大可达20～30um2.采用位移放大机构将压电变形形成的位移放大后输出，因为用第一种方案可获得的位移量仍是较小的，所以进一步采用杠杆等放大机构，将位移放大后输出，可以获得更大的位移量。本技术的目的是提供一种尺寸小、大摆角、大位移量的大变形压电陶瓷器件为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大变形压电陶瓷器件，其特征在于它具有压电陶瓷双晶片，压电陶瓷双晶片具有正变形压电陶瓷片［１］和负压电陶瓷片［２］，各压电陶瓷双晶片在输出端与相邻的压电陶瓷双晶片经垫片［３］刚性联接，组成压电陶瓷双晶叠堆，相邻两压电陶瓷双晶片的变形方向相反。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种大变形压电陶瓷器件，其特征在于它具有压电陶瓷双晶片，压电陶瓷双晶片具有正变形压电陶瓷片[1]和负压电陶瓷片[2]，各压电陶瓷双晶片在输出端与相邻的压电陶瓷双晶片经垫片[3]刚性联接，组成压电陶瓷双晶叠堆，相邻两压电陶瓷双晶片的变形方向相反。2.根据权利要求1所述的一种大变形压电陶瓷器件，其特征在于所说的压电陶瓷片厚度为0.2～8mm，长度为4～60mm。3.根据权利要求1或2所述的一种大变形压电陶瓷器件，其特征在于所说的压电陶瓷片厚度为0.2～0.8mm，长度为10～30mm。4.根据权利要求1或2...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘承，杨国光，舒晓武，朱成武，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：实用新型
国别省市：33[中国|浙江]