一种氮化镓半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种氮化镓半导体器件，涉及到半导体器件领域，包括底座，所述底座上设有引脚和发光芯片，所述底座的顶侧开设有环形安装槽，环形安装槽内活动安装有透明罩体，透明罩体的顶侧延伸至环形安装槽外，所述环形安装槽内活动安装有橡胶压紧片，橡胶压紧片位于透明罩体的外侧。本实用新型专利技术中，将透明罩体罩在底座上的环形安装槽上，环形安装槽的内壁上设有内密封圈，能够保证透明罩体在安装后的密封性，两个按压杆移动带动两个连接块相互靠近，便于后续的位置固定，两个连接块相互靠近后，能够拉动橡胶压紧片压紧透明罩体，从而将其固定安装，橡胶压紧片的外侧设有压紧铝条，能够增强橡胶压紧片的强度。能够增强橡胶压紧片的强度。能够增强橡胶压紧片的强度。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓半导体器件


[0001]本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种氮化镓半导体器件。

技术介绍

[0002]氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体，自1990年起常用在发光二极管中，发光二极管是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，它在照明领域应用广泛。因为发光二极管具有高亮度、低耗能、体积小、寿命长、节能环保、安全可靠等、可应用各种恶劣环境等诸多优点，应用于各种室内外照明、灯箱装饰等各领域。
[0003]传统的发光二极管在进行安装时，一般采用铆接方式连接，不方便工作人员对半导体激光二极管进行组装，同时后期内部发光芯片损坏后，就得全部更换，不能够对其进行更换，使得半导体激光二极管使用成本增加，因此需要一种氮化镓半导体器件来满足人们的需求。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种氮化镓半导体器件，以解决传统的发光二极管在进行安装时，一般采用铆接方式连接，不方便工作人员对半导体激光二极管进行组装，同时后期内部发光芯片损坏后，就本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓半导体器件，包括底座(1)，所述底座(1)上设有引脚(2)和发光芯片(3)，其特征在于：所述底座(1)的顶侧开设有环形安装槽(4)，环形安装槽(4)内活动安装有透明罩体(5)，透明罩体(5)的顶侧延伸至环形安装槽(4)外，所述环形安装槽(4)内活动安装有橡胶压紧片(7)，橡胶压紧片(7)位于透明罩体(5)的外侧，橡胶压紧片(7)的外侧设有两个压紧铝条(8)，两个压紧铝条(8)的两端均固定安装有连接块(9)，所述环形安装槽(4)的一侧内壁上开设有延伸槽(13)，两个连接块(9)的一侧均延伸至延伸槽(13)内，所述底座(1)的顶侧开设有两个活动槽(14)，两个活动槽(14)分别位于延伸槽(13)的两侧，两个活动槽(14)内均活动安装有活动柱(15)，两个活动柱(15)的顶端均延伸至活动槽(14)外并固定安装有同一个压紧块(17)，压紧块(17)与两个连接块(9)相适配。2.根据权利要求1所述的一种氮化镓半导体器件，其特征在于：所述压紧块(17)的底侧固定安装有多组位置卡柱(18)，两个连接块(9)的顶侧均开设有一组位置卡槽(19)...

【专利技术属性】
技术研发人员：仇亮，
申请(专利权)人：广东仁懋电子有限公司，
类型：新型
国别省市：