改进的硼掺杂半导体材料及其制备方法技术

本发明专利技术介绍一种改进的Ｐ型半导体合金薄膜和采用这种薄膜的光生伏打和光敏器件及其射频和辉光放电制备法．用含硅烷和硼的化合物的辉光放电淀积硅半导体合金薄膜．硼以单原子形式掺入硅基质．这种Ｐ型薄膜的特点是稳定、带隙未变窄、体应力降低、形貌和生长状况及附着性得到改进并且减少了剥皮和龟裂．本征层的特点是降低了Ｓｔａｅｂｌｅｒ－Ｗｒｏｎｓｋｉ衰退．在辉光放电中未形成高序硼氢化物和其它硼的聚合物或低聚物．（*该技术在2005年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
淀积一种改进的包括硼和卤素或假卤素的Ｐ型半导体合金的方法，该方法包括在气体混合物中建立辉光放电，气体混合物包括至少一种半导体前身气体，硼的气体源与卤素和假卤素结合在一起，其特点是在上述淀积的半导体合金中以单原子形式至少掺入１．９原子百分数的硼。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨志忠，拉尔夫莫尔，斯蒂芬赫金斯，安妮特约翰科克，普雷内斯，
申请(专利权)人：能源转换装置公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]