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本发明介绍一种改进的Ｐ型半导体合金薄膜和采用这种薄膜的光生伏打和光敏器件及其射频和辉光放电制备法．用含硅烷和硼的化合物的辉光放电淀积硅半导体合金薄膜．硼以单原子形式掺入硅基质．这种Ｐ型薄膜的特点是稳定、带隙未变窄、体应力降低、形貌和生长状况...
该专利属于能源转换装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过能源转换装置公司授权不得商用。

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