一种含有足够浓度晶体夹杂物的以显著改善材料性能的、含氟掺硼Ｐ型硅基半导体微晶合金，以及该合金的制造方法．包含有至少一层暴露于入射光下的这种合金的单个电池或多层电池的光生伏打器件改善了填充因子和转换效率．

本发明介绍一种改进的Ｐ型半导体合金薄膜和采用这种薄膜的光生伏打和光敏器件及其射频和辉光放电制备法．用含硅烷和硼的化合物的辉光放电淀积硅半导体合金薄膜．硼以单原子形式掺入硅基质．这种Ｐ型薄膜的特点是稳定、带隙未变窄、体应力降低、形貌和生长...

一个改进的大面积光电器件（９０）包含许多电连接的较小面积电池（９２）．每个较小面积电池有一个横向安置的汇流条（８０）并以部分重叠的关系排列起来，因此，某电池的汇流条处在部分覆盖它的相邻电池衬底的下面．所得到的大面积器件的表面没有哪部分被...

一个类型的集成电路阵列，包括几个程序可控单元，可以将这些程序可控单元编成四种可能的电阻抗状态．例如：第一种状态是在两个方向上电阻抗都是高的；第二种状态是在一个方向上电阻抗是高的，在相反方向上电阻抗是低的；第三种状态是在相反方向上电阻抗是...

所发明的是一种可用投射束进行变换的数据存储器件，它包含状态可变的存储材料，该存储材料是一个多相系统，该系统包含有大体上连续的介电陶瓷相，和以断续晶粒形态存在的状态可变相．

这里公开的是一种光学数据存贮器件的形成方法，该器件中包含有一种光学数据存贮介质，通过对它投射能量束，至少可在两种可测状态之间进行转换．在形成之前该数据存贮介质是处于沉积后的第一次不规则状态．该形成过程包括对光学数据存贮介质施加一个排序化...