一种验证NAND数据通路正确性的测试方法技术

本发明专利技术涉及数据传输检测领域，针对NAND flash数据传输中会产生错误的问题，提出了一种可以排除NAND flash自身存储产生错误的测试方法，即首先遍历设定范围内的DQS delay值，并利用NAND flash的寄存器读写操作比较写入与读出的数据，将差异值进行记录，最后通过对差异值的检查结果判定，实现验证NAND flash数据通路是否会产生错误的测试方法。据通路是否会产生错误的测试方法。据通路是否会产生错误的测试方法。

【技术实现步骤摘要】
一种验证NAND数据通路正确性的测试方法


[0001]本专利技术涉及数据传输检测领域，更具体涉及一种验证NAND flash数据通路正确性的测试方法。

技术介绍

[0002]NAND闪存（NAND flash）是flash存储器的一种，被用作存储介质广泛用于存储设备中。在NAND flash与ddr数据传输过程中往往因为pcb板生产过程中可能产生的差异而产生少量通路错误，这种通路错误又因NAND flash自身特性产生的大量错误难以觉察，从而导致数据不可靠。
[0003]由于NAND flash自身特性，数据在其中存储时也会产生错误，在测试数据传输中产生的错误时，必须要排除这些NAND flash自身特性产生的影响。

技术实现思路

[0004]为了解决上述问题，本专利技术采用了一种针对通路错误进行验证的方法，确认数据传输过程中不会产生错误。
[0005]该方案的实现方式如下：一种验证NAND数据通路正确性的测试方法，包括以下步骤：a)调整NAND Flash数据采样的延时；b) 设定测试数据pattern，选取被本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种验证NAND数据通路正确性的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：a)调整NAND Flash数据采样的延时；b) 设定测试数据pattern，选取被测通路上的NAND flash target，发送寄存器写命令，写入测试pattern数据。2.c)选取被测通路上的NAND flash target，发送寄存器读命令，记录读取的数据，由NAND Flash寄存器比较写入和读出的数据；d)记录读写数据的差异值并进行结果判定。3.根据权利要求1所述的验证NAND数据通路正确性的测试方法，其特征在于，所述调整NAND Flash数据采样的延时还...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宇，王璞，刘奇浩，杨雪，徐源长，
申请(专利权)人：山东华芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：