包括绝缘膜的半导体器件及其制造方法技术

提高有两层结构的绝缘膜之间的粘接强度，改善平面化和膜特性的半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法中，在半导体衬底上形成至少有上下层的两层结构的绝缘膜。以后，在杂质至少到达上下绝缘膜之间的界面的条件下给上层绝缘膜引入杂质。使上下绝缘之间的粘接强度提高，上层绝缘膜不昀剥离。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件及其制造方法。特别涉及。过去几年中，为了提高半导体集成电路器件的集成密度，主要致力于减小互连尺寸和采用多层布线技术。为了获得互连的多层结构，在每个互连层之间设置层间绝缘膜。如果这些层间绝缘膜的表面不平，则在层间绝缘膜上形成的互连会产生台阶式部分，因而，会造成连接断开的缺陷。因此，层间绝缘膜的表面(器件表面)应尽可能地平。使器件表面变平的技术叫做平面化。这种平面化技术对于减小尺寸和提供多层互连变得很重要。平面化中，SOG(玻璃上旋涂)膜是通用的现有层间绝缘膜。近来，在平面化技术中利用层间绝膜的材料流动性的优点的发展特别引人著目。“SOG”是主要用把硅化合物溶解于有机溶剂中制成溶液，并用该溶液制成二氧化硅膜的通用术语。SOG膜的形成中，首先，把溶于有机溶剂中的硅化物制成的溶液滴在旋转的衬底上。用该旋转涂敷溶液，减小衬底上相当于互连的台阶式部分。更具体地说，衬底上的凹坑部分形成厚的涂层，在凸起部分形成薄的涂层。结果，使溶液涂敷表面变平。之后，进行热处理，使有机溶剂挥发掉。而且，进行聚合处理，在表面上生成平的SOG膜。SOG膜通常分为无机SOG膜和有机SOG膜，本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体器件的制造方法，包括以下步骤： 在半导体衬底上形成至少有上下两层结构的绝缘膜； 在杂质至少到达上层绝缘膜与下层绝缘膜之间的界面的条件下，把杂质注入所述上层绝缘膜。

【技术特征摘要】
JP 1996-9-6 236799/96;JP 1996-12-25 345586/961.半导体器件的制造方法，包括以下步骤在半导体衬底上形成至少有上下两层结构的绝缘膜；在杂质至少到达上层绝缘膜与下层绝缘膜之间的界面的条件下，把杂质注入所述上层绝缘膜。2.半导体器件的制造方法，包括以下步骤在半导体衬底上形成第1绝缘膜；在所述第1绝缘膜上形成第2绝缘膜；在杂质至少到达所述第2绝缘膜与所述第1绝缘膜之间的界面的条件下把杂质引入所述第2绝缘膜。3.按权利要求2的半导体器件制造方法，还包括在所述第2绝缘膜上形成第3绝缘膜的步骤。4.按权利要求2的半导体器件的制造方法，其中，杂质引入是在穿过所述界面的杂质量至少是2×1013原子/cm2和不大于1018原子/cm2的条件下进行的。5.按权利要求2的半导体器件的制造方法，其中，所述第2绝缘膜包括至少含1％的碳的氧化硅膜。6.按权利要求2的半导体器件的制造方法，其中，所述第2绝缘膜包括无机SOG膜。7.按权利要求2的半导体器件的制造方法，其中，所述第1绝缘膜包括其吸湿性小于所述第2绝缘膜的吸湿性的膜。8.按权利要求2的半导体器件的制造方法，其中，所述杂质是用离子注入法引入的。9.按权利要求2的半导体器件的制造方法，其中，所述杂质是硼离子和氩离子中之任一种。10.半导体器件的制造方法，包括以下步骤在半导体衬底上形成的金属互连层上形成至少包括上下两层结构的绝缘膜，和在杂质至少穿过上下绝缘膜之间的界面并到达所述金属互连层的条件把杂质引入所述上层绝缘膜。11.制造半导体器件的方法，包括以下步骤半导体衬底上形成金属互连层；在所述金属互连层上形成第1绝缘膜，所述第1绝缘膜上形...

【专利技术属性】
技术研发人员：水原秀树，渡辺裕之，児岛则章，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]