【技术实现步骤摘要】
交叉引用本申请要求1996年12月4日申请的美国临时申请No.60/032340的权益。专利技术的背景本专利技术一般涉及半导体集成电路，特别涉及一种球形集成电路及其制造系统和制造方法。常规集成电路或“芯片”是由平面半导体晶片形成的。首先这种半导体晶片在半导体材料制造厂家制造出来，然后被送到制造厂家或“制造机构”。在制造机构，在半导体晶片表面上加工数层。一旦完成后，将晶片切割成一个或多个芯片，并组装成封装。尽管所加工的芯片包括制造于其上的数层，但芯片仍保持较平坦。为了拥有和操纵现代化的晶片制造工厂，制造机构，和组装厂，必须组织巨大的资源。例如，一个制造机构一般要花费数亿美元，并且因此需要大量资本和投入。这种高水平的资本和投入伴随着芯片和制造机构所固有的许多问题。这些问题中的许多反映到产生硅晶片和芯片所需要的艰苦努力和巨大花费。例如，制造晶片需要生产棒形多晶半导体材料，从半导体棒精确地切割晶碇；清洗并干燥所切晶碇；通过在石英坩埚内熔化晶碇，由该晶碇制造大单晶；研磨、腐蚀、清洗该晶体的表面；从该晶体切割、研磨并抛光晶片；热处理这些晶片。另外，经过上述处理生产的晶片一般具有...
【技术保护点】
一种集成电路，包括大致形成为球形的半导体材料，和设置于该材料的外表面上的至少一个电路。
【技术特征摘要】
US 1997-5-16 08/858,004;US 1996-12-4 60/032,3401·一种集成电路，包括大致形成为球形的半导体材料，和设置于该材料的外表面上的至少一个电路。2·根据权利要求1的集成电路，其中所说至少一个电路制造于所说半导体材料上。3·根据权利要求2的集成电路，其中所说至少一个电路包括多个晶体管，并且所说半导体材料提供用于晶体管的阱。4·一种制造球形集成电路的工艺，包括以下步骤制造大致为球形的半导体晶体，并在该晶体上制造集成电路。5·根据权利要求4的工艺，其中制造大致为球形的半导体晶体的步骤包括制造粒状多晶；由所说粒状多晶制造单粒状晶体；将单粒状晶体形成球形；及外延生长球形单晶。6·根据权利要求4的工艺，其中制造步骤利用的多个工艺包括清洗工艺；湿法腐蚀工艺；扩散工艺；氧化工艺；等离子体工艺；涂敷工艺；及曝光工艺。7·一种利用包括制造大致为球形的半导体晶体，并在该晶体上制造集成电路的工艺制造的球形集成电路。8·根据权利要求7的球形集成电路，其中制造步骤采用的多个工艺包括清洗工艺；湿法腐蚀工艺；扩散工艺；氧化工艺；等离子体工艺；涂敷工艺；及曝光工艺。9·根据权利要求7的球形集成电路，其中制造大致为球形的半导体晶体的步骤包括制造粒状多晶；由所说粒状多晶制造单粒状晶体；将单粒状晶体形成球形；及外延生长球形单晶。10·一种通过加工大致为球形的半导体表面制造的集成电路。11·一种集成电路，包括大致为球形的半导体晶体芯；加工于所说半导体晶体芯的外表面上的多个电路，其中至少一个电路是通过围绕半导体晶体芯缠绕导体形成的电感器。12·一种VLSI电路，由多个较小集成电路构成，其中所说每个集成电路包括大致形成为球形的半导体材料，设置于该材料的外表面上的至少一个电路和用于电连接另一个集成电路的至少一个引线。13·根据权利要求12的VLSI电路，还包括一个或多个分立电路，每个分立电路包括大致形成为球形的半导体材料。14·一种制造多晶材料的处理炉，包括入口管道，用于接收籽晶材料；流化床反应器，用于接收籽晶材料，并将之生长成多晶材料；及出口管道，用于送出多晶材料。15·一种加工球形半导体单晶的下行炉，该炉包括加热器部分，产品入口和产口出口，其中加热器部分的温度超过半导体单晶材料的熔点。16·一种加工球形半导体单晶的上行炉，该炉包括加热器部分，产品入口和产口出口，其中加热器部分的温度超过半导体单晶材料的熔点。17·一种加工球形半导体单晶的螺旋炉，该炉包括加热器部分，产品入口和产口出口，其中加热器部分的温度超过半导体材料的熔点。18·一种加工球形半导体单晶的移动炉，该炉包括加热器部分，产品入口和产口出口，其中加热器部分的温度超过半导体材料的熔点。19·一种由半导体粉末制造半导体晶粒的系统，该系统包括流化床反应器，用于将所说粉末转变成晶粒；重量分选器，用于接收来自流化床反应器的晶粒；回流管，用于将来自重量分选器达不到预定重量的晶粒送回到流化床反应器。20·一种外延生长半导体球的系统，包括具有多个小孔的第一管道；与第一管同轴的第二管道，...
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