用于晶片背磨的表面保护片及其使用方法技术

一种在晶片背磨的一个工艺中所使用的用于半导体晶片的表面保护片，此工艺包括：在设有电路的半导体晶片的表面上形成槽，槽的切割深度小于晶片的厚度；以及对晶片的背面进行研磨从而减小晶片的厚度且最终把晶片分割成独立的芯片，该表面保护片包括衬底和叠加在其上的压敏粘合剂层，该压敏粘合剂层的弹性模量在４０℃下至少为１．０×１０↑［５］帕。此表面保护片适用于以高产率生产极薄的ＩＣ芯片的工艺。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在晶片背磨时保护电路表面的压敏粘合剂片。尤其是，本专利技术涉及在晶片加工过程中所使用的压敏粘合剂片，在此过程中，对晶片背面进行研磨，从而减小晶片的厚度并最终实现把晶片分割成独立的芯片。近几年，由于IC卡的不断普及，人们需要进一步减小其厚度。相应地，需要把半导体芯片的厚度(现在已经是大约350μm)减小到50-100μm或更薄。普通的做法是在电路图案形成后研磨晶片背面。当试图把晶片研磨到例如100μm或更小的厚度时，晶片的强度降低了，其结果是晶片容易破裂。实际上，晶片是易碎的，从而即使芯片中只有轻微的缺陷，也可能因此缺陷而发生裂缝，裂缝变大穿过晶片，从而大大降低了芯片的产量。Laid-Open公开号为5(1993)-335411的日本专利揭示了一种生产半导体芯片的工艺，其中，为了防止晶片因上述裂缝的生长而破裂，从晶片表面形成给定深度的槽，其后研磨晶片背面。在此芯片生产工艺中，以缺陷作为起始点的晶片裂缝的生长能被这些槽所阻止。然而，在此方法中同样发生芯片破裂。就在把晶片分割成独立的芯片前，这些芯片处于利用极弱的桥接而相互结合的状态。参考图6，就加上研磨力的方向以及所加本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在晶片背磨的一个工艺中所使用的用于半导体晶片的表面保护片，此工艺包括：在设有电路的半导体晶片的表面上形成槽，槽的切割深度小于晶片的厚度；以及对晶片的背面进行研磨从而减小晶片的厚度且最终把晶片分割成独立的芯片， 所述表面保护片包括衬底和叠加在其上的压敏粘合剂层，该压敏粘合剂层的弹性模量在４０℃下至少为１．０×１０↑［５］帕。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1998-8-18 231602/981.一种在晶片背磨的一个工艺中所使用的用于半导体晶片的表面保护片，此工艺包括在设有电路的半导体晶片的表面上形成槽，槽的切割深度小于晶片的厚度；以及对晶片的背面进行研磨从而减小晶片的厚度且最终把晶片分割成独立的芯片，所述表面保护片包括衬底和叠加在其上的压敏粘合剂层，该压敏粘合剂层的弹性模量在40℃下至少为1.0×105帕。2.如权利要求1所述的表面保护片，其特征在于压敏粘合剂层最好由能量辐射固化的压敏粘合剂构成。3.如权利要求1或2所述的表面保护片，其特征在于压敏粘合剂层的剪切剥离强度最好为至少10kg/cm2。4.如权利要求1或2所述的表面保护片，其特征在于在40kg/cm2下，具有0.1到5.0％的压缩应变。5.如权利要求3所述的表面保护片，其特征在于在40kg/cm2下，具有0.1到5.0％的压...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥和弘，江部和义，田久真也，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，东芝株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]