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一种在晶片背磨的一个工艺中所使用的用于半导体晶片的表面保护片,此工艺包括:在设有电路的半导体晶片的表面上形成槽,槽的切割深度小于晶片的厚度;以及对晶片的背面进行研磨从而减小晶片的厚度且最终把晶片分割成独立的芯片,该表面保护片包括衬底和叠加在...该专利属于琳得科株式会社;东芝株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过琳得科株式会社;东芝株式会社授权不得商用。
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一种在晶片背磨的一个工艺中所使用的用于半导体晶片的表面保护片,此工艺包括:在设有电路的半导体晶片的表面上形成槽,槽的切割深度小于晶片的厚度;以及对晶片的背面进行研磨从而减小晶片的厚度且最终把晶片分割成独立的芯片,该表面保护片包括衬底和叠加在...