一种减少光刻光阻返工造成多晶硅关键尺寸损失的方法技术

一种减少光刻光阻返工造成多晶硅关键尺寸损失的方法，包括：步骤S1：提供进行多晶硅LEC刻蚀的半导体器件，且多晶硅薄膜刻蚀的紧前工艺已完成；步骤S2：进行聚合物沉积；步骤S3：进行光刻光阻返工，并进行多晶硅薄膜刻蚀，获得满足工艺管控标准的多晶硅关键尺寸之器件。本发明专利技术通过在已完成多晶硅薄膜刻蚀之紧前工艺的半导体器件进行聚合物沉积，增大硬掩膜的关键尺寸，在不改变多晶硅薄膜之图案的情况下，进而可有效的改善多晶硅关键尺寸减小的问题，提高产品良率，降低生产成本。降低生产成本。降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种减少光刻光阻返工造成多晶硅关键尺寸损失的方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种减少光刻光阻返工造成多晶硅关键尺寸损失的方法。

技术介绍

[0002]在摩尔定律驱动下，半导体工艺尺寸逐渐缩小，对于在线管控越发严苛。在28nm技术节点上，多晶硅分为两道进行刻蚀：多晶硅硬掩膜刻蚀和多晶硅LEC(LEC，Litho Edge cut)刻蚀。在本领域中，如大家所知晓地，在第一道多晶硅硬掩膜刻蚀完成后，多晶硅的线宽已经确定；在第二道多晶硅LEC刻蚀则会继承多晶硅之硬掩膜的关键尺寸(CD，Critical Dimension)往下刻蚀。
[0003]但是，在多晶硅LEC刻蚀发生Q
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time超时等情况需要进行光刻光阻返工时，受限于返工之工艺条件，例如干式剥离、湿法清洗等工艺，势必会在一定程度上减小多晶硅之硬掩膜的关键尺寸。容易理解地，在返工过程中，作为硬掩膜的氧化物层/氮化硅层的侧壁首先会受到干法剥离的等离子体轰击，造成部分线宽的损失；再进过湿法清洗后又会造成部分线宽损失。因此，在进行光刻光阻返工的情况本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减少光刻光阻返工造成多晶硅关键尺寸损失的方法，其特征在于，所述减少光刻光阻返工造成多晶硅关键尺寸损失的方法，包括：执行步骤S1：提供进行多晶硅LEC刻蚀的半导体器件，且所述半导体器件之多晶硅薄膜刻蚀的紧前工艺已完成；执行步骤S2：对已完成所述多晶硅薄膜刻蚀之紧前工艺的半导体器件进行聚合物沉积；执行步骤S3：进行光刻光阻返工，并进行多晶硅薄膜刻蚀，获得满足工艺管控标准的多晶硅关键尺寸之器件。2.如权利要求1所述减少光刻光阻返工造成多晶硅关键尺寸损失的方法，其特征在于，所述多晶硅薄膜刻蚀的紧前工艺为光阻剥离工艺。3.如权利要求2所述减少光刻光阻返工造成多晶硅关键尺寸损失的方法，其特征在于，作为所述多晶硅薄膜刻蚀之紧前工艺的光阻剥离工艺之前，还包括光阻底胶清除、含硅底层抗反射涂层及系统上芯片打开，以及硬掩膜打开工艺。4.如权利要求1所述减少光刻光阻返工造成多晶硅关键尺寸损失的方法，其特征在于，所述聚合物为含碳、氢聚合物。5.如权利要求4所述减少光刻光阻返工...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈敏杰，许进，唐在峰，任昱，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：