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一种减少光刻光阻返工造成多晶硅关键尺寸损失的方法，包括：步骤S1：提供进行多晶硅LEC刻蚀的半导体器件，且多晶硅薄膜刻蚀的紧前工艺已完成；步骤S2：进行聚合物沉积；步骤S3：进行光刻光阻返工，并进行多晶硅薄膜刻蚀，获得满足工艺管控标准的多晶...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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