一种半导体结构及半导体结构制作方法技术

本申请涉及一种半导体结构及半导体结构制作方法，通过提供定义有阵列区域和外围区域的基底，在基底上依次形成叠层结构、第一介质层、第一掩膜层、抗反射层和光刻胶层，通过以图形化的光刻胶层为掩膜版去除所述阵列区域的部分第一介质层、第一掩膜层和抗反射层，以及所述外围区域的全部第一介质层、第一掩膜层和抗反射层形成第一图案后，图形化部分在所述阵列区域和所述外围区域上形成的第二介质层和第二掩膜层后形成第二图案，最终的阵列区域与外围区域高度相匹配，从而起到降低负载效应的作用，简化了工艺流程，减少了成本。减少了成本。减少了成本。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及半导体结构制作方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体地涉及一种半导体结构及半导体结构制作方法。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，检测DRAM)是一种广泛应用于计算机系统的半导体存储器。在生产制造存储器元件的过程中，通常将半导体结构划分为阵列区域和外围区域，阵列区域图案密度(Pattern Density)大，外围区域图案密度较小，由于阵列区域与外围区域的图案密度差大的时候会产生严重的负载效应(Loading Effect)，会影响后续工艺流程的完成。
[0003]因此，现有技术通过在外围区域区生成虚置图案(Dummy Pattern)来降低与阵列区域的图案密度差，用于减少在后续工艺中的负载效应，避免产生空洞等缺陷。然而，由于生成虚置图案需要生长多层掩膜和光刻胶层，导致工艺过程繁琐，并且成本较高。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种半导体结构及半导体结构制作方法，用于解决现有的工艺流程繁琐成本较高的问题，用于简化工艺流程，减本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括阵列区域与外围区域；在所述基底上形成叠层结构；在所述叠层结构上依次形成第一介质层、第一掩膜层和抗反射层；在所述阵列区域的抗反射层上形成光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜图形化所述第一介质层、所述第一掩膜层和所述抗反射层，去除所述阵列区域的部分第一介质层、部分第一掩膜层和部分抗反射层，以及所述外围区域的第一介质层、第一掩膜层和抗反射层，保留的所述阵列区域的第一介质层、第一掩膜层和抗反射层形成第一图案；在所述阵列区域和所述外围区域上依次形成第二介质层和第二掩膜层；图形化部分所述第二介质层和部分所述第二掩膜层，形成第二图案。2.如权利要求1所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述叠层结构包括在所述基底上依次形成的硬掩膜层、第三介质层和第三掩膜层。3.如权利要求2所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述叠层结构包括位于阵列区域的第一叠层结构和位于外围区域的第二叠层结构；所述第一叠层结构中的第三介质层和第三掩膜层与所述第二叠层结构中的第三介质层和第三掩膜层的图形不同。4.如权利要求1所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述的在所述阵列区域的抗反射层上形成光刻胶层，包括：在所述阵列区域的抗反射层和所述外围区域的抗反射层上形成初始光刻胶层；去除所述阵列区域的部分初始光刻胶层和所述外围区域的初始光刻胶层，保留的初始光刻胶层形成光刻胶层。5.如权利要求3所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述的在所述阵列区域和所述外围区域上依次形成第二介质层和第二掩膜层，包括：在所述第一叠层结构、所述第一图案和所述第二叠层结构上依次形成所述第二介质层和所述第二掩膜层。6.如权利要求5所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述第一图案包括多个凸起结构，相邻所述凸起结构之间形成有沟槽；所述的在所述第一叠层结构、所述第一图案和所述第二叠层结构上依次形成所述第二介质层和所述第二掩膜层，包括：在所述第一叠层结构、所述第一图...

【专利技术属性】
技术研发人员：张家云，刘浩，宛强，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：