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本申请涉及一种半导体结构及半导体结构制作方法，通过提供定义有阵列区域和外围区域的基底，在基底上依次形成叠层结构、第一介质层、第一掩膜层、抗反射层和光刻胶层，通过以图形化的光刻胶层为掩膜版去除所述阵列区域的部分第一介质层、第一掩膜层和抗反射层...
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