一种用于形成半导体器件图案的方法技术

本公开提供了一种用于形成半导体器件图案的方法，该方法可包括如下步骤：在待处理层上形成光刻胶层，在光刻胶层的上方先设置第一掩模板，利用第一掩模板使光刻胶层曝光出第一曝光区域，在光刻胶层上方设置第二掩模板，利用第二掩模板使光刻胶层曝光出第二曝光区域，采用负显影工艺进行显影，以在光刻胶层上形成图案，将在光刻胶层上的图案转移到待处理层上。本公开能够在实现较细微图案的前提下简化半导体器件图案形成工艺，加工效率更高，本公开能够制作出更小尺寸的图案且工序数量能大幅地减少，而且本公开还能够极大地降低工艺成本，所以本公开具有较大的市场前景、适于推广应用。应用。应用。

【技术实现步骤摘要】
一种用于形成半导体器件图案的方法


[0001]本公开涉及半导体器件加工
，更为具体来说，本公开涉及一种用于形成半导体器件图案的方法。

技术介绍

[0002]半导体制造工艺中，为制造细微的图案，光刻设备持续不断地更新，例如目前在产品开发和量产上使用的193nm的浸没扫描式光刻机(immersion scanner)和极紫外(EUV)光刻设备，而且实现细微线宽的技术也被开发出来，例如自对准双重成像(SELF ALIGNED DOUBLE PATTERNING，SADP)技术和微影-刻蚀-微影-刻蚀(Litho-Etch-Litho-Etch，LELE)技术等。其中，虽然自对准双重成像(SELF ALIGNED DOUBLE PATTERNING，SADP)工艺可以通过偶极(DIPOLE)照明单元增大分辨率、实现细微线宽，但不可避免地需要进行图案的“切割”(“CUT”)工艺，形成切割图案(“CUT”IMAGE FORMATION)尺寸往往随着线宽的减小而缩小，使得细微图案形成的难度极大地增加，出现不良的可能性也极大地增加。<br/>
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于形成半导体器件图案的方法，其特征在于，包括：在待处理层上形成光刻胶层；在所述光刻胶层的上方先设置第一掩模板，利用所述第一掩模板使光刻胶层曝光出第一曝光区域；在光刻胶层上方设置第二掩模板，利用所述第二掩模板使光刻胶层曝光出第二曝光区域；采用负显影工艺进行显影，以在所述光刻胶层上形成图案；将在所述光刻胶层上的图案转移到所述待处理层上。2.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件图案的方法，其特征在于，所述第一曝光区域与所述第二曝光区域相交设置。3.根据权利要求2所述的用于形成半导体器件图案的方法，其特征在于，所述第一曝光区域与所述第二曝光区域相垂直设置。4.根据权利要求3所述的用于形成半导体器件图案的方法，其特征在于，多个沿水平和/或垂直方向设置的条状区域中至少有两个尺寸不同。5.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件图案的方法，其特征在于，对所述第一曝光区域和所述第二曝光区域进行曝光处理包括：交替反复...

【专利技术属性】
技术研发人员：田范焕，梁时元，贺晓彬，丁明正，杨涛，李俊峰，王文武，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：