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本公开提供了一种用于形成半导体器件图案的方法，该方法可包括如下步骤：在待处理层上形成光刻胶层，在光刻胶层的上方先设置第一掩模板，利用第一掩模板使光刻胶层曝光出第一曝光区域，在光刻胶层上方设置第二掩模板，利用第二掩模板使光刻胶层曝光出第二曝光...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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