一种半导体器件的制造方法技术

本申请实施例提供了一种半导体器件的制造方法，在待引出结构上形成光刻涂层，光刻涂层包括第一膜层、光刻膜层和第二膜层，第一膜层和第二膜层的折射率都小于1，以便光刻涂层形成一个反射系数较高的光学结构，利用目标波长的光和掩模对光刻涂层进行曝光，待引出结构被光刻涂层进行反射，将待引出结构作为掩模成像至光刻膜层，同时将掩模的图形也成像至光刻膜层，即待引出结构和掩模的图形都成像至光刻膜层的目标区域，目标区域对应待引出结构，实现了待引出结构的图层与接触孔所在图层的自对准，只有在一次曝光过程中待引出结构和掩模的图形同时在光刻膜层成像的重叠区域才会对应待引出结构，能够提高不同的图层之间的对准精度，降低对准误差。降低对准误差。降低对准误差。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件领域，特别涉及一种半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体的工艺制造过程中，保证不同的图层之间的对准尤为重要。不同图层之间若是存在较大的对准误差，则可能会导致不同图层之间无法电连接，最终导致制造得到的半导体器件性能下降。自对准工艺是实现不同图层之间对准的重要技术手段，目前经常利用自对准工艺实现金属层和互连层之间的对准。
[0003]但是受自对准工艺的限制，在制造半导体器件时，例如形成接触孔的工艺过程中，自对准工艺的误差较大，导致制造得到的半导体器件良率低。
[0004]因此，现在急需一种半导体器件的制造方法，能够提高不同的图层之间的对准精度，降低对准误差。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请的目的在于提供一种半导体器件的制造方法，以提高不同的图层之间的对准精度，降低对准误差。
[0006]为实现上述目的，本申请有如下技术方案：
[0007]本申请实施例提供了一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件包括衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件包括衬底以及位于衬底一侧的待引出结构，所述方法包括：在所述待引出结构上形成光刻涂层，所述光刻涂层包括依次层叠的第一膜层、光刻膜层和第二膜层，所述第一膜层和所述第二膜层的折射率小于1；利用目标波长的光以及掩模对所述光刻涂层进行曝光，以将所述待引出结构成像和所述掩模的图形共同成像至所述光刻膜层的目标区域；所述目标区域对应所述待引出结构。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述光刻涂层的厚度根据目标波长的光将待引出结构成像至光刻膜层时光刻膜层中的光强和将掩模的图形成像至光刻膜层时光刻膜层中的光强共同确定。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述待引出结构上形成光刻涂层之前，所述方法还包括：在所述待引出结构上形成介质层，所述介质层位于所述待引出结构和所述光刻涂层之间；在利用目标波长的光以及掩模对所述光刻涂层进行曝光之后，所述方法还包括：利用所述光刻膜层，对所述目标区域对应的介质层进行刻蚀，得到贯穿所述介质层的接触孔，所述接触孔暴露所述待引出结构。4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在利用所述光刻膜层，对所述目标区域对应的介质层进行刻蚀之前，所述方法还...

【专利技术属性】
技术研发人员：张利斌，韦亚一，宋桢，粟雅娟，何建芳，马乐，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：