微发光二级管的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种微发光二级管的制备方法，依次循环利用化学刻蚀工艺、钝化工艺及物理轰击工艺对所述外延层及所述衬底进行操作直至完成裂片，形成单个的微发光二级管，这种裂片方式可以降低形成的划片槽的线宽，提高单位可产出的微发光二级管数量；由于没有切割划裂带来的机械损伤，也可以增强所述微发光二级管的强度，提高了微发光二级管的良率；并且裂片和微发光二级管的侧壁图形一道成形，简化了制程步骤，降低了成本，同时可制造出切割划裂难于得到的多边形外形的微发光二级管，提高可制造性。制造性。制造性。

【技术实现步骤摘要】
微发光二级管的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种微发光二级管的制备方法。

技术介绍

[0002]III
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V族半导体LED(Light
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emitting diode，发光二极管)产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED已具有节能、高效、响应时间快、寿命长、不含汞及环保等优点，因此被认为是新世代绿色节能照明的最佳光源之一。
[0003]为了提高LED芯片的发光强度，需要提高LED芯片的光电转换效率，LED芯片的光电转换效率包括两部分：内量子效率和外量子效率。其中，内量子效率是指电子空穴对在LED结区复合产生光子的效率；外量子效率指的是将LED结区产生的光子引出LED芯片的总效率。随着外延生长技术的完善和多量子阱结构的发展，高亮度LED芯片的内量子效率已接近100％，但外量子效率仅有3
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30％，这主要是光的逃逸造成的，因此，LED芯片的光提取效率已经成为高亮度LED芯片的主要技术瓶颈。引起光逃逸的因素有：晶格缺陷对光的吸收、衬底对光的吸收、光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微发光二级管的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有外延层；以及，依次循环利用化学刻蚀工艺、钝化工艺及物理轰击工艺对所述外延层及所述衬底进行操作直至完成裂片，形成单个的微发光二级管。2.如权利要求1所述的微发光二级管的制备方法，其特征在于，所述外延层上形成有与所述微发光二级管一一对应的电极组，所述电极组至少包括一个电极，刻蚀所述外延层及所述衬底之前，还包括：形成对应于每个所述电极组的侧墙，所述侧墙至少覆盖所述电极的侧壁，相邻的所述电极组对应的所述侧墙之间具有间隙，以露出部分所述外延层；以所述侧墙为掩模刻蚀所述外延层及所述衬底，以完成裂片；以及，去除所述侧墙。3.如权利要求2所述的微发光二级管的制备方法，其特征在于，所述电极组包括两个电极，所述侧墙覆盖两个所述电极的侧壁并填充两个所述电极之间的区域。4.如权利要求3所述的微发光二级管的制备方法，其特征在于，同一电极组中的两个所述电极之间的宽度尺寸小于不同电极组中的所述电极之间的宽度尺寸。5.如权利要求2所述的微发光二级管的制备方法，其特征在于，所述电极组包括第二电极，所述衬底背离所述外延层的一面上具有金属层，所述侧墙覆盖所述第二电极的侧壁；以及，以所述侧墙为掩模刻蚀所述外延层及所述衬底之后，劈裂所述金属层，以使所述金属层分裂为若干与所述第二电极一一对应的第一电极，以完成裂片。6.如权利要求2
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5中任一项所述的微发光二级管的制备方法，其特征在于，形成对应于每个所述电极组的侧墙的步骤包括：在所述外延层及所述电极组上共形地形成掩模层；以及，采用ICP刻蚀工艺刻蚀所述掩模层，以形成所述侧墙。7.如权利要求6所述的微发光二级管的制备方法，其特征在于，所述掩模层的材料为氧化硅和/或氮化硅，所述ICP刻蚀工艺的工艺气体为CF4和CHF4中的至少一种。8.如权利要求6所述的微发光二级管的制备方法，其特征在于，所述掩模层的厚度为9.如权利要求2
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5中任一项所述的微发光二级管的制备方法，其特征在于，裂片完成之后，去除所述侧墙之前，还包括：对所述LED芯片的侧壁进行粗化。10.如权利要求1所述的微发光二级管的制备方法，其特征在于，依次循环利用化学刻蚀工艺、钝化工艺及物理轰击工艺对所述外延层及所述衬底进行操作的步骤包括：利用所述化学刻蚀工艺刻蚀所述衬底，形成凹槽；转换工艺气体，利用所述钝化工艺在所述凹槽的内壁上形成钝化层；再次转换工艺气体，利用所述物理轰击工艺以去除所述钝化层位于所述凹槽的底壁上的部分；循环以上步骤，每循环一次形成一个所述凹槽，直至所有所述凹槽将所述衬底及所述<...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁兴华，洪灿皇，张乾，熊展，谢安军，
申请(专利权)人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：