本实用新型专利技术公开了一种芯片减薄装置，包括传送装置和研磨装置，传送装置上设有用于固定芯片的固定件，研磨装置设于固定件远离传送装置的一侧并用于对芯片进行打磨，研磨装置包括研磨轮，研磨轮的表面与固定件的表面在垂直于传送方向的方向上具有间距，研磨轮包括粗研磨轮、细研磨轮以及抛光研磨轮，粗研磨轮、细研磨轮以及抛光研磨轮的目数依次增大，粗研磨轮、细研磨轮以及抛光研磨轮朝向传送方向依次排列。在传送装置的移动过程中，可同步进行粗磨、细磨以及抛光工艺，提升效率，最终获得厚度精确的超薄芯片；而且设置固定件用于固定芯片，研磨装置对芯片进行研磨，从而避免了大尺寸晶圆减薄时容易出现裂片和崩边等良率问题。圆减薄时容易出现裂片和崩边等良率问题。圆减薄时容易出现裂片和崩边等良率问题。
【技术实现步骤摘要】
芯片减薄装置
[0001]本技术涉及芯片
，特别是涉及一种芯片减薄装置。
技术介绍
[0002]超薄芯片具有广阔的应用前景，当芯片厚度低于50μm，超薄芯片具备柔性，可应用于柔性电子；将超薄芯片利用硅通孔封装技术堆叠，可有效减小系统的面积、功耗，并提高系统的速率；另外，随着低压功率芯片衬底厚度的减小，内阻降低，从而减小功耗。背面磨削是芯片减薄的常用工艺，该方法兼容目前的半导体工艺，具有去除速率高，厚度控制均匀，设备工艺成熟等优点，因此适合超薄芯片大规模量产。对于超薄芯片而言，减薄工艺分为粗磨、细磨以及抛光，粗磨是为了提高减薄效率，细磨则是去除粗磨留下的损伤，从而减小芯片背面的残余应力，抛光则进一步减小背面损伤层，增加芯片强度。
[0003]晶圆减薄技术大多使用于半导体工艺后端，主要是将晶背以研磨方式(backsidegrinding)去除多余的基材材料，以利后续封装等制程，半导体工艺后端所要求的晶圆减薄规格相对宽松，尤其是在厚度、表面粗糙度、平整度及TTV上。然而，随着半导体工艺进步及产品的多样化，晶圆减薄技术已被广泛应用于光学半导体器件等的工艺前端，此处的晶圆减薄规格十分严格，晶圆厚度必须被减薄至数μm之内、表面粗糙度、平整度、TTV也都必须达到nm等级，故以高阶晶圆减薄技术称之。但是大尺寸晶圆减薄容易出现裂片，崩边等良率问题，再将晶圆切割成多个芯片后，处于开裂和崩边处的芯片是无法使用的，导致芯片的良品率较低。
技术实现思路
[0004]为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本技术的目的在于提供一种芯片减薄装置，以解决现有技术中晶圆减薄过程中容易出现裂片和崩边等的问题。
[0005]本技术的目的通过下述技术方案实现：
[0006]本技术提供一种芯片减薄装置，包括传送装置和研磨装置，所述传送装置上设有用于固定芯片的固定件，所述研磨装置设于所述固定件远离所述传送装置的一侧并用于对所述芯片进行打磨，所述研磨装置包括研磨轮，所述研磨轮的表面与所述固定件的表面在垂直于传送方向的方向上具有间距，所述研磨轮包括粗研磨轮、细研磨轮以及抛光研磨轮，所述粗研磨轮、所述细研磨轮以及所述抛光研磨轮的目数依次增大，所述粗研磨轮、所述细研磨轮以及所述抛光研磨轮朝向所述传送方向依次排列。
[0007]进一步地，所述研磨轮的表面与所述固定件的表面在垂直于传送方向的方向上的间距为200
‑
250μm。
[0008]进一步地，所述粗研磨轮的表面、所述细研磨轮的表面以及所述抛光研磨轮的表面与所述固定件的表面在垂直于所述传送方向的方向上的间距依次减小。
[0009]进一步地，所述粗研磨轮的表面以及所述细研磨轮的表面与所述固定件的表面在垂直于所述传送方向的方向上的间距的减小梯度为50
‑
70μm。
[0010]进一步地，所述细研磨轮的表面以及所述抛光研磨轮的表面与所述固定件的表面在垂直于所述传送方向的方向上的间距的减小梯度为1
‑
5μm。
[0011]进一步地，所述粗研磨轮与所述细研磨轮的目数差值为1500
‑
5500目。
[0012]进一步地，所述细研磨轮与所述抛光研磨轮的目数差值为2000
‑
4000目。
[0013]进一步地，所述粗研磨轮、所述细研磨轮以及所述抛光研磨轮均朝向所述传送方向的方向转动。
[0014]进一步地，所述固定件为真空吸盘，所述真空吸盘上设有吸气孔。
[0015]进一步地，所述吸气孔的数量为多个。
[0016]本技术有益效果在于：通过设置粗研磨轮、细研磨轮以及抛光研磨轮与传送装置进行配合，在传送装置的移动过程中，无需中途更换磨轮，也无需将芯片转移至其他工作台进行进一步研磨，即可同步进行粗磨、细磨以及抛光工艺，提升效率，最终获得厚度精确的超薄芯片；而且设置固定件用于固定芯片，研磨装置对芯片进行研磨，从而避免了大尺寸晶圆减薄时容易出现裂片和崩边等良率问题。
附图说明
[0017]图1是本技术中芯片减薄装置的结构示意图；
[0018]图2是本技术中芯片减薄装置的局部放大结构示意图；
[0019]图3是本技术另一实施例中传送装置的局部放大结构示意图。
[0020]图中：传送装置10、固定件11、吸气孔111、研磨轮20、粗研磨轮21、细研磨轮22、抛光研磨轮23、芯片30、减薄膜31。
具体实施方式
[0021]为更进一步阐述本技术为达成预定技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本技术提出的芯片减薄装置的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如下：
[0022]图1是本技术中芯片减薄装置的结构示意图，图2是本技术中芯片减薄装置的局部放大结构示意图，图3是本技术另一实施例中传送装置的局部放大结构示意图。
[0023]如图1至图2所示，本技术提供的一种芯片减薄装置，包括传送装置10和研磨装置，传送装置10上设有用于固定芯片30的固定件11，研磨装置设于固定件11远离传送装置10的一侧并用于对芯片30进行打磨，研磨装置包括研磨轮20，研磨轮20的表面与固定件11的表面在垂直于传送方向F的方向上具有间距，研磨轮20包括粗研磨轮21、细研磨轮22以及抛光研磨轮23，粗研磨轮21、细研磨轮22以及抛光研磨轮23的目数依次增大，粗研磨轮21、细研磨轮22以及抛光研磨轮23朝向传送方向F依次排列。
[0024]本技术通过设置粗研磨轮21、细研磨轮22以及抛光研磨轮23与传送装置10进行配合，在传送装置10的移动过程中，无需中途更换磨轮，也无需将芯片30转移至其他工作台进行进一步研磨，即可同步进行粗磨、细磨以及抛光工艺，提升效率，最终获得厚度精确的超薄芯片；而且设置固定件11用于固定芯片，研磨装置对芯片30进行研磨，从而避免了大尺寸晶圆减薄时容易出现裂片和崩边等良率问题。
[0025]本实施例中，研磨轮20的表面与固定件11的表面在垂直于传送方向F的方向上的间距为200
‑
250μm。从而在研磨芯片30时不会因为芯片30凸出得太高，而使得芯片30从固定件11上掉落。如果研磨轮20的表面与固定件11的表面在垂直于传送方向F的方向上的间距过大，会导致芯片30贴附的减薄膜31过厚且芯片30的重心较高，在研磨芯片30的过程中容易导致芯片30脱落。其中，减薄膜31的厚度以及研磨轮20的表面与固定件11的表面在垂直于传送方向F的方向上的间距均根据芯片30的厚度来设定的，可根据实际情况来设定减薄膜31的厚度和研磨轮20的表面与固定件11的表面在垂直于传送方向F的方向上的间距。减薄膜31可以对芯片30起到一定保护作用，避免固定件11对芯片30进行损坏。
[0026]如图2所述，研磨轮20的半径为R，研磨轮20中心距离固定件11的表面的高度为H，研磨轮20的表面与固定件11的表面在垂直于本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片减薄装置，其特征在于，包括传送装置(10)和研磨装置，所述传送装置(10)上设有用于固定芯片(30)的固定件(11)，所述研磨装置设于所述固定件(11)远离所述传送装置(10)的一侧并用于对所述芯片(30)进行打磨，所述研磨装置包括研磨轮(20)，所述研磨轮(20)的表面与所述固定件(11)的表面在垂直于传送方向(F)的方向上具有间距，所述研磨轮(20)包括粗研磨轮(21)、细研磨轮(22)以及抛光研磨轮(23)，所述粗研磨轮(21)、所述细研磨轮(22)以及所述抛光研磨轮(23)的目数依次增大，所述粗研磨轮(21)、所述细研磨轮(22)以及所述抛光研磨轮(23)朝向所述传送方向(F)依次排列。2.根据权利要求1所述的芯片减薄装置，其特征在于，所述研磨轮(20)的表面与所述固定件(11)的表面在垂直于传送方向(F)的方向上的间距为200
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250μm。3.根据权利要求1所述的芯片减薄装置，其特征在于，所述粗研磨轮(21)的表面、所述细研磨轮(22)的表面以及所述抛光研磨轮(23)的表面与所述固定件(11)的表面在垂直于所述传送方向(F)的方向上的间距依次减小。4.根据权利要求3所述的芯片减薄装置，其特征在于，所述粗研磨...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯雪，汪照贤，陈颖，
申请(专利权)人：浙江清华柔性电子技术研究院，
类型：新型
国别省市：
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