一种小厚度半导体锗衬底单面研磨装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种小厚度半导体锗衬底单面研磨装置，包括配重压块、不锈钢卡块、陶瓷盘、吸附垫、圆定盘和研磨台；不锈钢卡块和陶瓷盘均为环形结构，不锈钢卡块连接在陶瓷盘上表面，配重压块活动卡合在不锈钢卡块的内环中；吸附垫的数量为三块以上，吸附垫均布在陶瓷盘下表面、且吸附垫的吸附面朝下；研磨台上设有截面为倒三角形的收集槽，收集槽的正上方设有多孔导流板，多孔导流板上分布有导流孔，收集槽的侧面底部设有放料管，放料管上设有控制阀；圆定盘活动置于多孔导流板上；陶瓷盘活动置于圆定盘上，吸附垫位于陶瓷盘和圆定盘之间。上述研磨装置，结构简单，操作灵活，显著提高了厚度≤220μm的半导体锗衬底的良率，降低了生产成本。了生产成本。了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种小厚度半导体锗衬底单面研磨装置


[0001]本技术涉及一种小厚度半导体锗衬底单面研磨装置，属于半导体锗衬底研磨


技术介绍

[0002]晶片由多线切割成晶片后，由于多线切割面存在厚度差问题，晶片不同程度的产生弯曲、应力变形、厚度差等细微的缺陷，需要研磨处理。现有技术中，对半导体锗衬底采用双面研磨方式进行研磨，由于空间太阳能锗衬底晶片规格较薄，随着客户要求的提升，锗衬底晶片要求小于等于220μm，甚至达到145μm厚度，双面研磨时，上下盘均为硬盘，很容易因局部力受力过大而导致破裂，破裂比例在20％～30％左右，成本非常高。

技术实现思路

[0003]本技术提供一种小厚度半导体锗衬底单面研磨装置，显著提高了厚度≤220μm的半导体锗衬底的良率，降低了制造成本。
[0004]为解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案如下：
[0005]一种小厚度半导体锗衬底单面研磨装置，包括配重压块、不锈钢卡块、陶瓷盘、吸附垫、圆定盘和研磨台；
[0006]不锈钢卡块和陶瓷盘均为环形结构，不锈钢卡块连接在陶瓷盘上表面，配重压块活动卡合在不锈钢卡块的内环中；吸附垫的数量为三块以上，吸附垫均布在陶瓷盘下表面、且吸附垫的吸附面朝下；
[0007]研磨台上设有截面为倒三角形的收集槽，收集槽的正上方设有多孔导流板，多孔导流板上分布有导流孔，收集槽的侧面底部设有放料管，放料管上设有控制阀；
[0008]圆定盘活动置于多孔导流板上；陶瓷盘活动置于圆定盘上，吸附垫位于陶瓷盘和圆定盘之间。r/>[0009]上述装置，以陶瓷盘为载体，在陶瓷盘上均匀分布吸附垫，然后将锗衬底晶片吸附在吸附垫上，将陶瓷盘倒扣轻放在涂抹研磨液的固定盘上研磨；为了达到该有的研磨掉量及研磨效率，配备配重压块，通过吸附垫本有的微弹性，可以有效的调整厚度不一致导致的局部压力集中现象，减少因晶片的机械应力导致的破例现象，同时没有游星轮问题导致的跑片情况发生，研磨良率达到99％以上。
[0010]研磨时产生的废液经多孔导流板流入收集槽，收集槽设置为截面为倒三角形的结构，便于废液的收集和排放。
[0011]为了提高研磨效果，圆定盘所用材质为石英或大理石。
[0012]为了提高研磨的稳定性，不锈钢卡块和陶瓷盘同心设置。同心设置指圆心重叠。
[0013]为了便于调节，配重压块有两块以上，这样可根据需要增减配重压块。
[0014]为了满足一般生产需求，配重压块有两块，分别为第一配重压块和第二配重压块，第一配重压块的底部活动卡合在不锈钢卡块的内环中，第二配重压块的底部活动连接在第
一配重压块的顶部，第二配重压块的顶部可活动卡合在不锈钢卡块的内环中，这样便于第二配重压块单独使用时，与不锈钢卡块的内环配合，第二配重压块单独使用时，需要将顶部倒置。
[0015]为了提高研磨的稳定性，第一配重压块的顶部和第二配重压块的底部通过相互匹配的凹槽凸起活动卡合。
[0016]上述第一配重压块和第二配重压块的中均为2～15kg。
[0017]为了提高生产效率，吸附垫的数量为5～35块。
[0018]为了方便使用和更换，吸附垫粘贴在陶瓷盘下表面。
[0019]上述吸附垫所用材质为聚氨酯，吸附垫的吸附面上分布有吸附孔。吸附孔为盲孔，可通过挤压将衬底吸附固定。
[0020]为了提高吸附的稳定性，吸附孔深度为0.14mm～0.2mm。
[0021]本申请小厚度指≤220μm的厚度。
[0022]本技术未提及的技术均参照现有技术。
[0023]本技术小厚度半导体锗衬底单面研磨装置，结构简单，操作灵活，显著提高了厚度≤220μm的半导体锗衬底的良率，研磨210μm规格的晶片，几乎没有破损，研磨145μm规格厚度的晶片研磨时，良率可以提升至99％左右，有效降低了加工过程中的损失，降低了生产成本。
附图说明
[0024]图1为本技术小厚度半导体锗衬底单面研磨装置的结构示意图；
[0025]图2为本技术陶瓷盘下表面示意图；
[0026]图中，1为重压块，2为研磨液，3为Tamplate吸附垫，4为不锈钢卡块，5为第二配重压块，6为第一配重压块，7为陶瓷盘，8为锗衬底晶片，9为多孔导流板，10为研磨台，11为收集槽。
具体实施方式
[0027]为了更好地理解本技术，下面结合实施例进一步阐明本技术的内容，但本技术的内容不仅仅局限于下面的实施例。
[0028]本申请“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等方位词为基于附图所示或使用状态时的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0029]实施例1
[0030]如图1所示，一种小厚度半导体锗衬底单面研磨装置，包括配重压块、不锈钢卡块、陶瓷盘、Tamplate吸附垫、圆定盘和研磨台；
[0031]不锈钢卡块和陶瓷盘均为环形结构，不锈钢卡块连接在陶瓷盘上表面，配重压块活动卡合在不锈钢卡块的内环中；如图2所示，Tamplate吸附垫的数量为三块以上，Tamplate吸附垫均布在陶瓷盘下表面、且Tamplate吸附垫的吸附面朝下；
[0032]研磨台上设有截面为倒三角形的收集槽，收集槽的正上方设有多孔导流板，多孔导流板上分布有导流孔，收集槽的侧面底部设有放料管，放料管上设有控制阀；
[0033]圆定盘活动置于多孔导流板上；陶瓷盘活动置于圆定盘上，Tamplate吸附垫位于陶瓷盘和圆定盘之间。
[0034]上述装置，以陶瓷盘为载体，在陶瓷盘上均匀分布Tamplate吸附垫，然后将锗衬底晶片吸附在Tamplate吸附垫上，将陶瓷盘倒扣轻放在涂抹研磨液的固定盘上研磨；为了达到该有的研磨掉量及研磨效率，配备配重压块，通过Tamplate吸附垫本有的微弹性，可以有效的调整厚度不一致导致的局部压力集中现象，减少因晶片的机械应力导致的破例现象，同时没有游星轮问题导致的跑片情况发生，研磨良率达到99％以上。
[0035]实施例2
[0036]在实施例1的基础上，进一步作了如下改进：为了提高研磨效果，圆定盘所用材质为石英。为了提高研磨的稳定性，不锈钢卡块和陶瓷盘同心设置。
[0037]实施例3
[0038]在实施例2的基础上，进一步作了如下改进：配重压块有两块，分别为第一配重压块和第二配重压块，第一配重压块的底部活动卡合在不锈钢卡块的内环中，第二配重压块的底部活动连接在第一配重压块的顶部，第二配重压块的顶部可活动卡合在不锈钢卡块的内环中，这样便于第二配重压块单独使用时，与不锈钢卡块的内环配合。
[0039]实施例4
[004本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种小厚度半导体锗衬底单面研磨装置，其特征在于：包括配重压块、不锈钢卡块、陶瓷盘、吸附垫、圆定盘和研磨台；不锈钢卡块和陶瓷盘均为环形结构，不锈钢卡块连接在陶瓷盘上表面，配重压块活动卡合在不锈钢卡块的内环中；吸附垫的数量为三块以上，吸附垫均布在陶瓷盘下表面、且吸附垫的吸附面朝下；研磨台上设有截面为倒三角形的收集槽，收集槽的正上方设有多孔导流板，多孔导流板上分布有导流孔，收集槽的侧面底部设有放料管，放料管上设有控制阀；圆定盘活动置于多孔导流板上；陶瓷盘活动置于圆定盘上，吸附垫位于陶瓷盘和圆定盘之间。2.如权利要求1所述的小厚度半导体锗衬底单面研磨装置，其特征在于：圆定盘所用材质为石英或大理石。3.如权利要求1或2所述的小厚度半导体锗衬底单面研磨装置，其特征在于：不锈钢卡块和陶瓷盘同心设置。4.如权利要求1或2所述的小厚度半导体锗衬底单面研磨装置，其特征在于：配重压块包括第一配重压块和第二配重压块，第一配重压块...

【专利技术属性】
技术研发人员：周锐，刘兴达，柯尊斌，王卿伟，
申请(专利权)人：中锗科技有限公司，
类型：新型
国别省市：