一种高强度高韧性超薄锗单晶片腐蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种高强度高韧性超薄锗单晶片腐蚀方法，分两步完成腐蚀，然后甩干，具体包括如下步骤：1)将锗单晶片插入卡塞在酸性腐蚀液1中腐蚀，酸性腐蚀液1的组成以体积比计，包括高纯水:HF：H2O2＝(8

【技术实现步骤摘要】
一种高强度高韧性超薄锗单晶片腐蚀方法


[0001]本专利技术涉及一种高强度高韧性超薄锗单晶片腐蚀方法，属于半导体材料


技术介绍

[0002]超薄锗单晶片作为衬底材料广泛应用于航空航天太阳能电池制作。不论是多节还是单节太阳能电池，其制作过程中，超薄锗单晶片的抛光和清洗，以及后续外延工艺都是必须的过程。而衬底材料的强度和韧性对超薄锗单晶片抛光，清洗的成品率，外延片外延的质量和电池可靠性都有很大的影响，因此，确保衬底材料的强度和韧性是非常重要的。
[0003]现有超薄锗单晶片的腐蚀方法主要包括三种，分别为溴素腐蚀法、单步腐蚀法和碱液加氧化剂腐蚀法。溴素腐蚀方法，由于化学腐蚀腐蚀速度快，操作要求高，操作人员难控制，腐蚀后晶片表面易出现腐蚀花纹，卡塞两边位置表面有架子印，腐蚀厚度难控制，片与片之间厚度差超过10μm；而单步腐蚀方法加工的锗单晶片，机械强度普遍偏低，且易出现不透亮等表面缺陷问题；用碱液加氧化剂腐蚀的锗单晶片，存在腐蚀效率低下，表面暗点、无光泽、不透亮等问题，难以满足超薄锗单晶片抛光、清洗和太阳能电池的制作要求。因此，迫切需本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高强度高韧性超薄锗单晶片腐蚀方法，其特征在于：分两步完成腐蚀，然后甩干，具体包括如下步骤：1)将锗单晶片插入卡塞在酸性腐蚀液1中腐蚀，酸性腐蚀液1的组成以体积比计，包括高纯水:HF：H2O2＝(8
‑
10):(0.5
‑
1)：(0.5
‑
0.8)；2)将完成步骤1)的锗单晶片在酸性腐蚀液2中腐蚀，酸性腐蚀液2的组成以体积比计，包括高纯水:HF：H2O2＝(1
‑
2):(1
‑
1.5)：(0.05
‑
0.1)；3)将完成步骤2)的锗单晶片连同卡塞放入甩干机甩干。2.如权利要求1所述的高强度高韧性超薄锗单晶片腐蚀方法，其特征在于：步骤1)和2)中，酸性腐蚀液1和酸性腐蚀液2，所用高纯水的电阻率均为18.2～18.3MΩ.cm，所用HF均为质量浓度为40
±
1％的水溶液；所用H2O2均为质量浓度为30
±
1％的水溶液。3.如权利要求1或2所述的高强度高韧性超薄锗单晶片腐蚀方法，其特征在于：步骤1)中，酸性腐蚀液1由体积比为9：(0.5
‑
0.6)：(0.5
‑
0.6)的高纯水、HF和H2O2混合而成。4.如权利要求1或2所述的高强度高韧性超薄锗单晶片腐蚀方法，其特征在于：步骤2)中，酸性腐蚀液2由体积比为1.5：(1.1
‑
1.2)：(0.07
‑
0.08)的高纯水、HF和H2O2混合而成。5.如权利要求1或2所述的高强度高韧性超薄锗单晶片腐蚀方法，其特征在于：步骤1)为，将锗单晶片插入卡塞，在温度不高于50℃的酸性腐蚀液1中腐蚀8
‑
10秒，取出带锗单晶片的卡塞并水枪冲洗锗单晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕春富，王卿伟，常晟，端平，刘桂勇，李志成，
申请(专利权)人：中锗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：