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本发明公开了一种高强度高韧性超薄锗单晶片腐蚀方法，分两步完成腐蚀，然后甩干，具体包括如下步骤：1)将锗单晶片插入卡塞在酸性腐蚀液1中腐蚀，酸性腐蚀液1的组成以体积比计，包括高纯水:HF：H2O2＝(8
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