改善低能量离子注入下的片电阻量测值稳定性的方法技术

本发明专利技术关于改善低能量离子植入下的片电阻量测值稳定性的方法，可应用于半导体制程的纯硅晶层中，在纯硅晶层上方具有自然氧化层，并藉由低能量离子植入方式将砷离子打入此纯硅晶层中；再经由稀氢氟酸清洗以除去纯硅晶层上方的自然氧化层，再由稀氢氯酸清洗以除去纯硅晶层表面的污染物，以及由臭氧水浸洗以形成化学氧化层于纯硅晶层上方；并经快速加热程序以修复遭受破坏的纯硅晶层晶格结构；完成半导体制程中的低能量离子植入制程。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种改善离子植入下的片电阻量测值稳定性的方法，特别是指一种应用于半导体制程中的。随着科技的进步，半导体产业已从以往的次微米(Sub Micron)时代进入现今的深次微米(Sub Half Micron)时代，同时半导体产品体积也有渐趋缩小化的趋势，为达此目的则必须同时藉由半导体产品结构的设计与制程上两者良好的搭配。众所皆知的半导体制程中的扩散制程技术中，其中低能量离子植入(Low EnergyIon Implantation)与快速加热程序(Rapid Thermal Process Spike Anneal，RTPSpike Anneal)的配合即是为了满足半导体产品缩小化的要求。简言之，此低能量离子植入与快速加热程序(RTP Spike Anneal)的配合即是藉由低能量离子植入方式将+3价或+5价离子打入纯硅晶层(Bare SiliconLayer)中，再经由一快速加热程序(RTP Spike Anneal)将该纯硅晶层中因离子植入时遭受破坏的晶格结构予以修复。然而，当这项制程技术要被应用在生产时，首先要考虑到片电阻量测值(Resistance，Rs)的均匀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善低能量离子植入下的片电阻量测值稳定性的方法，可应用于半导体制程的纯硅晶层中，该方法包括下列步骤： 藉由低能量离子植入方式将离子打入该纯硅晶层中； 经由清洗与氧化步骤以保护芯片表面与延缓表面状态随时间改变的速度；以及 经由加热程序以修复遭受破坏的纯硅晶层晶格结构。

【技术特征摘要】
1.一种改善低能量离子植入下的片电阻量测值稳定性的方法，可应用于半导体制程的纯硅晶层中，该方法包括下列步骤藉由低能量离子植入方式将离子打入该纯硅晶层中；经由清洗与氧化步骤以保护芯片表面与延缓表面状态随时间改变的速度；以及经由加热程序以修复遭受破坏的纯硅晶层晶格结构。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该低能量系可小于10Kev。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该离子为一砷离子。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该纯硅晶层上方具有自然氧化层。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，该步骤(b)的清洗与氧化步骤包括下列步骤b1)经由稀氢氟酸清洗以除去该纯硅晶层上方的自然氧化层；b2)经由稀氢氯酸清洗以除去该纯硅晶层表面的污染物；以及b3)经由臭氧水浸洗以在该纯硅晶层上方形成一化学氧化层。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该加热程序为一快速加热程序。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，该快速加热程序是快速持续升温至一温度后则立即冷却至室温。8.一种改善低能量离子植入下的片电阻量测值稳定性的方法，可应用于半导体制程的纯硅晶层中，而该纯硅晶层上方具有自然氧化层，该方法包括下列步骤藉由低能量离子植入方式将离子打入此纯硅晶层中；去除该自然氧化层与在该纯硅晶层上形成一化学氧化层以保护芯片表面与延缓表面状态随时间改变的速度；以及经由加热程序以修复遭受破坏的纯硅晶层晶格结构。9....

【专利技术属性】
技术研发人员：庄岳镇，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]