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本发明关于改善低能量离子植入下的片电阻量测值稳定性的方法，可应用于半导体制程的纯硅晶层中，在纯硅晶层上方具有自然氧化层，并藉由低能量离子植入方式将砷离子打入此纯硅晶层中；再经由稀氢氟酸清洗以除去纯硅晶层上方的自然氧化层，再由稀氢氯酸清洗以除...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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