一种内金属介电层结构及其形成方法技术

本发明专利技术为一种内金属介电层结构及其形成方法，该集成电路具有第一金属层以及第二金属层，本方法包含：在第一金属层之上形成第一氧化硅层；在第一氧化硅层之上形成旋涂式玻璃层；在旋涂式玻璃层之上形成蚀刻终止层；在蚀刻终止层之上形成第二氧化硅层，进而在完成第一金属层与第二金属层之间的内金属介电层，其中蚀刻终止层于后续的导通孔制作过程中所进行的湿蚀刻，相对于这些氧化硅层在旋涂式玻璃层具有低蚀刻比的特性，而能得较佳的导通孔轮廓。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤指应用于具多重金属层结构的集成电路中的内金属介电层结构及其形成方法。在半导体组件的积成度与复杂性渐渐的增加之后，原本单层便足以负担其上晶体管、电阻、电容等组件间的连接的金属层，现今已无法满足需求，而必须利用多重金属层的结构才能完成整个集成电路的导线连接。而在多重金属层的制作过程中，位于两金属层间是具一用以绝缘的内金属介电层(Inter-Metal-Dielectrics Layer)，而该内金属介电层经常运用一种三明治式(Sandwich Type)的结构来完成并同时达到局部平坦化的作用，以利接下来所制作的上层金属层的进行，且经微影蚀刻所转移的导线图案亦将较为准确。请参见附图说明图1所示，在下方的第一金属层11与上方的第二金属层15间是依序成长有以电浆加强化学气相沉积法(PECVD)所完成的第一氧化硅(PE-Oxide)层12、旋涂式玻璃(Spin On Glass，SOG)层13、以及同样以电浆加强化学气相沉积法(PECVD)所完成的第二氧化硅(PE-Oxide)层14来组成三明治式结构的内金属介电层，其中完成旋涂式玻璃层(Spin On Glass，SOG本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内金属介电结构，其应用于具有多重金属层结构的集成电路中，该集成电路具有第一金属层以及第二金属层，而本内金属介电层结构包含： 第一氧化硅层，位于该第一金属层之上； 旋涂式玻璃层，位于该第一氧化硅层之上； 蚀刻终止层，位于该旋涂式玻璃层之上；以及 第二氧化硅层，位于该蚀刻终止层之上与该第二金属层之下，其中该蚀刻终止层于后续导通孔制作过程中所进行的湿蚀刻，相对于这些氧化硅层与该旋涂式玻璃层具有低蚀刻比的特性，而能得较佳导通孔轮廓。

【技术特征摘要】
1.一种内金属介电结构，其应用于具有多重金属层结构的集成电路中，该集成电路具有第一金属层以及第二金属层，而本内金属介电层结构包含第一氧化硅层，位于该第一金属层之上；旋涂式玻璃层，位于该第一氧化硅层之上；蚀刻终止层，位于该旋涂式玻璃层之上；以及第二氧化硅层，位于该蚀刻终止层之上与该第二金属层之下，其中该蚀刻终止层于后续导通孔制作过程中所进行的湿蚀刻，相对于这些氧化硅层与该旋涂式玻璃层具有低蚀刻比的特性，而能得较佳导通孔轮廓。2.如权利要求1所述的内金属介电层结构，其特征在于，该第一氧化硅层与该第二氧化硅层是由电浆加强化学气相沉积方法所完成。3.如权利要求1所述的内金属介电层结构，其特征在于，该蚀刻终止层是由氮化硼、碳化硅、非晶硅中的材质所完成。4.如权利要求1所述的内金属介电层结构，其特征在于，为形成该导通孔所进行的该湿蚀刻为运用缓冲氧化物蚀刻液所进行的化学湿蚀刻。5.如权利要求1所述的内金属介电层结构，其特征在于，该蚀刻终止层是由以电浆加强化学气相沉积法所沉积厚度约为200埃至1000埃的氮化硅所完成。6.如权利要求1所述的内金属介电层结构，其特征在于，该由氮化硅所完成的蚀刻终止层与该第二氧化硅层是于同一反应室内以电浆加强化学气相沉积法所形成。7.一种内金属介电层形成方法，其应用于具...

【专利技术属性】
技术研发人员：林启发，曾伟志，冯明宪，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]