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本发明为一种内金属介电层结构及其形成方法，该集成电路具有第一金属层以及第二金属层，本方法包含：在第一金属层之上形成第一氧化硅层；在第一氧化硅层之上形成旋涂式玻璃层；在旋涂式玻璃层之上形成蚀刻终止层；在蚀刻终止层之上形成第二氧化硅层，进而在完...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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