【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多个真空腔室排气系统和抽空多个真空腔室的方法
[0001]本专利技术涉及真空排气歧管以及用于从多个腔室，诸如半导体制造中使用的工艺腔室中抽出气体的方法和系统。
技术介绍
[0002]半导体制造工厂具有多个位于洁净间中的真空腔室以减少污染的机会。它们需要在每个腔室内维持低的稳定压力。这常规地通过真空排气系统来完成，该真空排气系统包括附接到真空腔室的涡轮分子泵与附接到涡轮分子泵的排气装置的增压器和前级泵。前级泵和增压泵可以位于无尘室（subfab）中的洁净间外部，以减少洁净间内的污染和振动。
[0003]每个腔室内的半导体工艺是异步的、循环的和间歇的，其中被抽空的气体的类型和量随时间变化。由与工艺气体的反应产生的气体（反应产物气体）和工艺气体的残余物通过真空排气系统被排放到腔室的外部，在那里它们可以被馈送到消减系统。
[0004]因此，用于这种腔室的排气系统应该能够抽空不同的和不同量的气体，并生成和维持稳定的高真空。
[0005]现今生产中蚀刻系统的典型设置用于每个工艺腔室的专用前级泵。
[000...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于抽空位于洁净间中的多个腔室的真空排气系统，所述真空排气系统包括：多个分支工艺气体通道，每个分支工艺气体通道被配置成连接到相应的腔室；共享工艺通道，由所述分支通道的汇合形成，并被配置成提供共享的流体连通路径，以用于来自所述腔室中的每一个的工艺气体从所述洁净间流动到所述洁净间外部的工艺通道；和多个分支抽气通道，每个分支抽气通道被配置成连接到相应的腔室；共享的抽气通道，由所述分支抽气通道的汇合形成，并被配置成提供流体连通路径以用于流体在所述真空腔室中的至少一个的抽气期间从所述洁净间流动到所述洁净间外部的抽气通道。2.根据权利要求1所述的真空排气系统，所述真空排气系统还包括用于抽空所述多个腔室的多个真空泵，所述多个真空泵被配置成连接到所述相应的多个真空腔室，所述多个分支工艺气体通道连接到所述多个真空泵的相应排气装置。3.根据权利要求2所述的真空排气系统，其中，所述多个真空泵包括多个高真空真空泵，所述多个高真空真空泵被配置成在被抽空的气体的分子流区域中操作。4.根据任一项前述权利要求所述的真空排气系统，所述真空排气系统还包括较低真空真空泵，所述较低真空真空泵被配置成在所述气体的粘性流动区域中操作，所述较低真空真空泵连接到位于所述洁净间外部的所述工艺通道；和被配置成在所述气体的粘性流动区域中操作的抽气真空泵，所述抽气真空泵被连接到位于所述洁净间外部的所述抽气气体通道。5.根据任一项前述权利要求所述的真空排气系统，其中，所述多个分支工艺气体通道被配置成使得每个分支通道的有效传导性大体相同，有效传导性在所述分支通道中的每一个之间变化小于20%，优选小于10%。6.根据任一项前述权利要求所述的真空排气系统，所述真空排气系统还包括：控制模块，所述控制模块包括压力控制电路，所述压力控制电路被配置成生成用于控制所述共享工艺通道中的压力的控制信号。7.根据权利要求6所述的真空排气系统，所述真空排气系统还包括：压力传感器，用于监测所述共享工艺通道内的压力；所述压力控制电路被配置成接收来自所述压力传感器的信号，并响应于所述接收到的信号中的至少一个而生成所述控制信号中的至少一个，以便减少所述监测到的压力的波动。8.根据权利要求6或7所述的真空排气系统，所述压力控制电路被配置成接收指示所述腔室中的至少一个内的活动的信号，所述压力控制电路被配置成响应于指示所述活动的所述接收到的信号中的至少一个而生成所述控制信号中的至少一个。9.根据权利要求6至8中任一项所述的真空排气系统，所述压力控制电路被配置成接收指示所述腔室中的至少一个内的未来活动的信号，所述压力控制电路被配置成响应于指示所述未来活动的所述接收到的信号而生成所述控制信号中的至少一个。10.根据权利要求6至9中任一项所述的真空排气系统，所述真空排气系统还包括以下至少一个：用于抽空所述多个腔室的多个真空泵，所述多个真空泵被配置成连接到所述相应的多
个真空腔室，所述多个分支工艺气体通道连接到所述多个真空泵的相应排气装置；和工艺较低真空真空泵，被配置成在所述气体的粘性流动区域中操作，所述工艺较低真空真空泵连接到位于所述洁净间外部的所述工艺通道；其中由所述压力控制电路生...
【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：爱德华兹真空泵有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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