半导体装置制造系统以及半导体装置制造方法制造方法及图纸

提供半导体制造装置系统以及半导体装置制造方法，用于在半导体器件的制造工序中减少带来坏影响的异物。半导体装置制造系统具备半导体制造装置和经由网络与所述半导体制造装置连接并执行异物减少处理平台，半导体装置制造系统中的所述异物减少处理具有如下步骤：使用由所述半导体制造装置进行了处理的样品来取得异物特性值；通过机器学习，基于所取得的所述异物特性值和相关数据来确定起因于异物产生的所述半导体制造装置的部件；基于所确定的所述部件来规定用于清洁所述半导体制造装置的清洁条件；以及使用所规定的所述清洁条件来清洁所述半导体制造装置，所述相关数据是预先取得的所述异物特性值与所述部件的相关数据。据。据。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置制造系统以及半导体装置制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体装置制造系统以及半导体装置制造方法。

技术介绍

[0002]一般，等离子处理装置由以下等构成：真空处理室；与该真空处理室连接的气体供给装置；将真空处理室内的压力维持在期望的值的真空排气系统；载置作为被处理件的晶片的电极；以及用于使真空处理室内产生等离子的等离子产生单元。通过由等离子产生单元将从簇射板等供给到真空处理室内的处理气体设为等离子状态，来进行晶片载置用电极所保持的晶片的等离子处理例如蚀刻处理。
[0003]近年，伴随半导体器件的集成度的提高，要求微细加工即加工精度的提高。特别是，半导体器件的芯片也变得微细，布线间的宽度小，比布线宽度大的异物变得容易附着，若附着的异物是导电性的，则会导致短路，无法发挥半导体器件的本来的功能。此外，不管异物是绝缘性还是导电性，在附着有异物的芯片搬运到下一工序的情况下，若该下一工序例如是蚀刻工序，则该异物会成为阻碍蚀刻的掩模，很难形成期望的蚀刻加工形状。
[0004]因此，为了减少前述那样的异物而能够取得正常的半导体器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置制造系统，其特征在于，具备半导体制造装置和经由网络与所述半导体制造装置连接并执行异物减少处理的平台，所述异物减少处理具有如下步骤：使用由所述半导体制造装置进行了处理的样品来取得异物特性值；通过机器学习，基于所取得的所述异物特性值和相关数据来确定起因于异物产生的所述半导体制造装置的部件；基于所确定的所述部件来规定用于清洁所述半导体制造装置的清洁条件；以及使用所规定的所述清洁条件来清洁所述半导体制造装置，所述相关数据是预先取得的所述异物特性值与所述部件的相关数据。2.根据权利要求1所述的半导体装置制造系统，其中，所述异物减少处理作为所述平台所具备的应用来执行。3.根据权利要求1所述的半导体装置制造系统，其中，所述半导体制造装置和所述平台构成为云计算。4.根据权利要求1所述的半导体装置制造系统，其中，所述平台经由局域网与所述半导体制造装置连接。5.根据权利要求1所述的半导体装置制造系统，其中，所述机器学习中使用的预测模型每当重复进行所述异物减少处理时被更新。6.根据权利要求1所述的半导体装置制造系统，其中，异物测定装置和异物分析装置经由所述网络与所述平台连接，所述异物特性值包含异物数和异物的成分，所述异物数通过所述异物测定装置来测定，所述异物的成分通过所述异物分析装置来分析。7.根据权利要求6所述的半导体装置制造系统，其中，所述平台具备服务器，所述半导体制造装置是等离子蚀刻装置。8.一种半导体装置制造方法，其特征在于，使用半导体制造装置来制造半导体装置，具有如下工序：使用由所述半导体制造装置进行了处理的样品来取得异物特性值；基于所取得的所述异物特性值和相关数据，通过机器学习来确定起因于异物产生的所述半导体制造装置的部件...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒卷彻，齐藤刚，米田健一郎，榎本祐治，堤贵志，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：