一种显示面板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例公开一种显示面板及显示装置。该显示面板包括衬底基板；第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管与第二晶体管形成于衬底基板上，第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，第一有源层包含硅；第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，第二有源层包含氧化物半导体；第二有源层位于第一有源层背离衬底基板的一侧；第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层位于第二有源层背离衬底基板的一侧，且位于第二栅极与第二有源层之间，第二绝缘层位于第二有源层朝向衬底基板的一侧；其中，第一绝缘层中的氧元素的浓度小于第二绝缘层中的氧元素的浓度。以实现提升第二晶体管的稳定性，保证驱动电路性能良好的效果。电路性能良好的效果。电路性能良好的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及显示装置


[0001]本技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

技术介绍

[0002]有机发光(Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED)显示面板由于同时具备自发光、对比度高、厚度薄、反应速度快、可用于挠曲性面板等优点，广泛受到人们的喜爱。
[0003]OLED显示面板的OLED元件属于电流驱动型元件，需要设置相应的像素电路以及驱动电路，驱动电路为像素电路提供驱动信号，以使像素电路为OLED 元件提供驱动电流，驱动OLED元件发光。OLED显示面板的驱动电路和像素电路中均设置有晶体管。晶体管常使用铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide， IGZO)作为有源层，来减小晶体管中的漏流。然而现有技术中IGZO晶体管的稳定性较差，进而对驱动电路和/或像素电路的性能产生影响，影响显示面板的显示效果。

技术实现思路

[0004]本技术实施例提供一种显示面板及显示装置，以实现提升第二晶体管的稳定性，保证驱动电路性能良好的效果。
[0005]第一方面，本技术实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括
[0006]衬底基板；
[0007]第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管与所述第二晶体管形成于所述衬底基板上，所述第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源层包含硅；所述第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二有源层包含氧化物半导体；所述第二有源层位于所述第一有源层背离所述衬底基板的一侧；
[0008]第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二有源层背离所述衬底基板的一侧，且位于所述第二栅极与所述第二有源层之间，所述第二绝缘层位于所述第二有源层朝向所述衬底基板的一侧；其中，
[0009]所述第一绝缘层中的氧元素的浓度小于所述第二绝缘层中的氧元素的浓度；
[0010]所述显示面板包括像素电路和为所述像素电路提供驱动信号的驱动电路，其中，所述驱动电路包括所述第二晶体管，且所述像素电路包括所述第一晶体管或者所述驱动电路包括所述第一晶体管。
[0011]第二方面，本技术实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括第一方面所述的显示面板。
[0012]本技术实施例提供的显示面板包括第一晶体和第二晶体管，第一晶体管的第一有源层包含硅，第二晶体管的第二有源层包含氧化物半导体，第一绝缘层位于第二有源层背离衬底基板的一侧，第二绝缘层位于第二有源层靠近衬底基板的一侧，通过设置第一绝缘层的氧元素的浓度小于第二绝缘层的氧元素的浓度，即通过第一绝缘层的氧元素的浓度适当减少，避免第一绝缘层中的缺陷对第二有源层产生影响；同时第二绝缘层的氧元素
的浓度适当增加，保证第二有源层的正常功能。如此提升第二晶体管的稳定性，保证驱动电路性能良好。
附图说明
[0013]图1是本技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
[0014]图2是本技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
[0015]图3是本技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
[0016]图4是本技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
[0017]图5是本技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
[0018]图6是本技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
[0019]图7是本技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
[0020]图8是本技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
[0021]图9是本技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0022]下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。
[0023]图1是本技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图，如图1所示，本技术实施例提供的显示面板100包括：衬底基板10；第一晶体管20和第二晶体管30，第一晶体管20与第二晶体管30形成于衬底基板10上，第一晶体管20包括第一有源层21、第一栅极22、第一源极23和第一漏极24，第一有源层21包含硅；第二晶体管30包括第二有源层31、第二栅极32、第二源极33和第二漏极34，第二有源层31包含氧化物半导体；第二有源层31位于第一有源层21背离衬底基板10的一侧；第一绝缘层40和第二绝缘层41，第一绝缘层40位于第二有源层31背离衬底基板10的一侧，且位于第二栅极32 与第二有源层31之间，第二绝缘层41位于第二有源层31朝向衬底基板10的一侧；其中，第一绝缘层40中的氧元素的浓度小于第二绝缘层41中的氧元素的浓度；显示面板100包括像素电路(图1中未示出)和为像素电路提供驱动信号的驱动电路50，其中，驱动电路50包括至少一个第二晶体管30，其中，图1以驱动电路50同时包括第一晶体管20和第二晶体管30为例进行说明。本申请中所限定的浓度，如无特别要求，则均为原子浓度，即每单位面积内的原子含量。
[0024]示例性的，如图1所示，显示面板100包括显示区AA和非显示区NAA，非显示区NAA位于显示区AA的至少一侧，图1以非显示区NAA位于显示区 AA一侧为例进行说明，其中，驱动电路50位于非显示区NAA中，通过驱动电路50为显示区AA中的像素电路(图1中未示出)提供驱动信号，以使像素电路驱动与其位于同一子像素的发光元件发光，实现显示面板100的显示。
[0025]需要说明的是，本申请中，第一晶体管20和第二晶体管30可以为驱动电路中的晶体管，即驱动电路50包括第一晶体管20或者第二晶体管30；此外，第一晶体管20和第二晶体管30可以为像素电路中的晶体管，即像素电路包括第一晶体管20或者第二晶体管30，如第二晶体管30位于像素电路中，其可以为驱动晶体管，也可以为开关晶体管。
[0026]示例性的，如图1所示，驱动电路50包括第一晶体管20和第二晶体管30，第一晶体管20可以为底栅晶体管，也可以为顶栅晶体管，图1以第一晶体管 20为顶栅晶体管为例，即第一栅极22位于第一有源层21背离衬底基板10的一侧。此外，第二绝缘层41位于第一栅极22背离衬底基板10的一侧，第二有源层31位于第二绝缘层41背离衬底基板10一侧，第一绝缘层40位于第二有源层背离衬底基板10的一侧，第二栅极32位于第一绝缘层40背离衬底基板 10的一侧，第一源极23、第一漏极24、第二源极33和第二漏极34均位于第二栅极32背离衬底基板10的一侧，且与第二栅极32绝缘设置，其中，第一源极23、第一漏极24、第二源极33和第二漏极34同层设置，如此可以简化工艺步骤。此外，第一晶体管20中的第一有源层21包含硅，可选为多晶硅，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底基板；第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管与所述第二晶体管形成于所述衬底基板上，所述第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源层为低温多晶硅有源层；所述第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二有源层为IGZO有源层；所述第二有源层位于所述第一有源层背离所述衬底基板的一侧；第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二有源层背离所述衬底基板的一侧，且位于所述第二栅极与所述第二有源层之间，所述第二绝缘层位于所述第二有源层朝向所述衬底基板的一侧；其中，所述第一绝缘层中的氧元素的浓度小于所述第二绝缘层中的氧元素的浓度；所述显示面板包括像素电路和为所述像素电路提供驱动信号的驱动电路，其中，所述驱动电路包括所述第二晶体管，且所述像素电路包括所述第一晶体管或者所述驱动电路包括所述第一晶体管。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层中的氧元素的浓度与硅元素的浓度比为A，所述第二绝缘层中的氧元素的浓度与硅元素的浓度比为B，其中，A＜B。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层包括氧化硅SiO
x
，所述第二绝缘层包括氧化硅SiO
y
，其中，x为第一绝缘层中的氧原子数量与硅原子数量之比，y为第二绝缘层中的氧原子数量与硅原子数量之比，且x＜y。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二晶体管包括第三栅极，所述第三栅极位于所述第二绝缘层朝向所述衬底基板的一侧，其中，所述第一绝缘层的厚度小于所述第二绝缘层的厚度。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第二绝缘层中，靠近所述第二有源层一侧的氧元素的浓度大于远离所述第二有源层一侧的氧元素的浓度。6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二绝缘层包括第一子绝缘层和第二子绝缘层，所述第二子绝缘层位于所述第一子绝缘层背离所述第二有源层的一侧，所述第一子绝缘层和所述第二子绝缘层中均包括氧化硅，其中，所述第一子绝缘层中的氧元素的浓度大于所述第二子绝缘层中的氧元素的浓度。7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第二子绝缘层中的氢元素的浓度大于所述第一子绝缘层中的氢元素的浓度。8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述第二栅极背离所述衬底基板的一侧；其中，
所述第三绝缘层中的氧元素的浓度大于所述第一绝缘层中的氧元素的浓度。9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层中的氧元素的浓度与硅元素的浓度比为A，所述第三绝缘层中的氧元素的浓度与硅元素的浓度比为C，其中，A＜C。10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第三绝缘层中的氧元素的浓度小于所述第二绝缘层中的氧元素的浓度。11.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第二绝缘层中的氧元素的浓度与硅元素的浓度比为B，所述第三绝缘层中的氧元素的浓度与硅元素的浓度比为C，其中，B＞C。12.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层中的氧元素的浓度与硅元素的浓度比为A，所述第二绝缘层中的氧元素的浓度与硅元素的浓度比为B，所述第三绝缘层的氧元素的浓度与硅元素的浓度比为C，其中，(B
‑
1)≤2(C
‑
1)
‑
(A
‑
1)。13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，(B
‑
1)
‑
(C
‑
1)≤1/2
×
[(C
‑
1)
‑
(A
‑
1)]。14.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路还包括第三晶体管，所述第三晶体管包括第三有源层、第三源极、第三漏极以及第...

【专利技术属性】
技术研发人员：何水，安平，匡娅祺，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：