一种晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种晶体管，包括衬底，堆叠于所述衬底上的二维半导体层，设置于所述二维半导体层两侧的源电极和漏电极，堆叠于所述二维半导体层上的栅控介质层，堆叠于所述栅控介质层上石墨炔层，位于所述石墨炔层上方的栅电极，填充于所述栅电极与所述石墨炔层之间的电解质层。石墨炔层能够在栅控脉冲撤去后，阻止锂离子的自发扩散回电解液，提高了数据保持能力与栅控能力。栅控介质层能阻止二硒化钨和石墨炔之间的电荷流动，增强电荷保持能力，从而增强存储可靠性，同时降低漏电流，减小功耗。本发明专利技术还提供了一种上述晶体管的制造方法。发明专利技术还提供了一种上述晶体管的制造方法。发明专利技术还提供了一种上述晶体管的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体管及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种晶体管及其制造方法。

技术介绍

[0002]大数据时代的到来，大量无条理的数据包括图片、声音、视频以及文字需要被有效处理，而对于处理与存储单元分离的传统冯诺依曼架构计算机，这将是一大挑战。受人类大脑的启发，神经形态计算能够以节能行为并行处理这些无条理的信息。多种人工突触被提出用于构建神经形态计算的人工神经网络硬件集成，比如二端忆阻器、多端神经形态晶体管等。特别的，由于具有卓越的模拟翻转性能，电解液栅控晶体管成为用作神经形态计算的有力候选者。已报道的该类晶体管根据机理可分为三类：双电层电解液栅控效应型晶体管、电化学掺杂型电解液栅控晶体管与电化学还原型电解液栅控晶体管。但这些晶体管常因器件架构与工作原理而承受一些致命缺点，如双电层电解液栅控效应型晶体管数据保持性能差、可靠性不高。
[0003]公开号为CN112820780A中国专利公开了一种晶体管，包括导电沟道和位于所述导电沟道上的石墨炔层，石墨炔层上覆盖有电解质，此种晶体管稳定性不高且功耗大。<br/>[0004]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体管，其特征在于，包括：衬底；二维半导体层，所述二维半导体层堆叠于所述衬底上；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极设置于所述二维半导体层两侧；栅控介质层，所述栅控介质层堆叠于所述二维半导体层上；石墨炔层，所述石墨炔层堆叠于所述栅控介质层上；栅电极，所述栅电极位于所述石墨炔层上方；电解质层，所述电解质层填充于所述栅电极与所述石墨炔层之间。2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述二维半导体层材料包括二硒化钨、二硫化钼、二硫化铪中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅控介质层材料包括氮化硼、铜铟磷硫中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，还包括设置于所述电解质层与所述源电极和所述漏电极之间的保护层，使电解质层仅与所述栅电极和所述石墨炔层相接触。5.根据权利要求4所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述保护层为聚甲基丙烯酸甲酯。6.根据权利要求1所述的晶体管，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：周鹏，张卫，朱宝，尹睿，奚晶晶，
申请(专利权)人：上海集成电路制造创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：